大功率IGBT全參數自動測試系統(tǒng)
我公司科研人員經過連續(xù)技術攻關，在原有YB6500高端半導體分立器件自動測試系統(tǒng)基礎上，自行研發(fā)出國內臺IGBT測試儀，圓滿解決了功率IGBT等新型半導體器件的全參數測試難題，填補了國內在半導體自動測試領域的空白，該項產品綜合技術指標國際水平。
目前我公司提供的該項新產品采用模塊式功放結構，主電流400A/500A/1000A/1250A可選，2500A/5000A選項可以根據用戶需要定制。
該產品可測IGBT參數包括了IC，BVC，IGF，IGR，VGETH，VGEON，VCAT，ICON，VF，GFS，r CE等全直流參數，小電流指標1%重復測試，大電流指標0.5%以內重復測試，目前國外同類產品水平。
?。?）需要YB550選件
?。?）需要柵80V選件
該產品可針對目前封裝的多單元IGBT特征，根據用戶需要提供4/8/20單元掃描測試適配器，從而實現多單元封裝器件的性全參數測試。與測試系統(tǒng)相比，該產品可同時對各種功率的其它10-18多類半導體分立器件進行全參數測試，具有更高的使用效率。與國外同類產品相比，該產品具有更高的性能價格比和國外廠家不能做到的優(yōu)質售后服務?！?
我公司科研人員經過連續(xù)技術攻關，在原有YB6500高端半導體分立器件自動測試系統(tǒng)基礎上，自行研發(fā)出國內臺IGBT測試儀，圓滿解決了功率IGBT等新型半導體器件的全參數測試難題，填補了國內在半導體自動測試領域的空白，該項產品綜合技術指標國際水平。
目前我公司提供的該項新產品采用模塊式功放結構，主電流400A/500A/1000A/1250A可選，2500A/5000A選項可以根據用戶需要定制。
該產品可測IGBT參數包括了IC，BVC，IGF，IGR，VGETH，VGEON，VCAT，ICON，VF，GFS，r CE等全直流參數，小電流指標1%重復測試，大電流指標0.5%以內重復測試，目前國外同類產品水平。
?。?）需要YB550選件
?。?）需要柵80V選件
該產品可針對目前封裝的多單元IGBT特征，根據用戶需要提供4/8/20單元掃描測試適配器，從而實現多單元封裝器件的性全參數測試。與測試系統(tǒng)相比，該產品可同時對各種功率的其它10-18多類半導體分立器件進行全參數測試，具有更高的使用效率。與國外同類產品相比，該產品具有更高的性能價格比和國外廠家不能做到的優(yōu)質售后服務?！?
其他說明
| 電參數名稱 | 電壓范圍 | 電流范圍 | 分辨率 | |
|
IC IGF IGR |
0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)(2) |
100nA(100pA)(1) - 50mA 100nA(100pA)(1)- 3A |
1nA(50pA)(1) |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)(1) |
| BVC |
0.1V-1000V- 1400V - 1600V |
100μA - 200mA -100mA -50mA |
5mV | 1%+100mV |
| VGETH | 0.10V- 20.0V(80V)(2) | 100nA- 3A | 5mV | 1%+10mV |
|
VCAT ICON VGEON VF GFS(混合參數) |
VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE,VF: 0.10V - 9.99V |
IC: 10μA-1250A - 1250A IGE,IF: 100nA - 10A |
5mV |
V: 1%+10mV IC,IF: 1%+100nA IGE: 1%+5nA |
