硅基V型槽
產(chǎn)品簡介
MaRS硅基V型槽專為光子器件設計。這種采用高硅蝕刻工藝制造的V型槽陣列可實現(xiàn)單接口和多組接口光纖的對準。緩沖區(qū)可提供額外的強度和剛度，以避免處理過程中光纖斷裂。金屬化處理的芯片可用于實現(xiàn)與金屬化光纖直接焊接的工藝，滿足了高端應用設計中對無膠固化工藝的要求。
產(chǎn)品特點
標準規(guī)格4、8、16、32通道或客戶自定義的多種規(guī)格V型槽光纖陣列；
高V型槽采用Si刻蝕工藝制成；
適用于直徑為125/250μm的單模、多模和保偏光纖，更多規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制；
V型槽間隔標準為127μm 和250μm，或根據(jù)客戶要求定制；
可選表面金屬鍍膜；
設計合Telcordia標準。
產(chǎn)品應用
集成光學器件尾纖封裝工藝；
平面光波導（PLC）連接；
密集波分復用（DWDM）多通道模塊連接；
光學傳感器連接和反饋；
有源器件陣列連接；
光學微機電系統(tǒng)（MEMS）器件間連接。
產(chǎn)品簡介
MaRS硅基V型槽專為光子器件設計。這種采用高硅蝕刻工藝制造的V型槽陣列可實現(xiàn)單接口和多組接口光纖的對準。緩沖區(qū)可提供額外的強度和剛度，以避免處理過程中光纖斷裂。金屬化處理的芯片可用于實現(xiàn)與金屬化光纖直接焊接的工藝，滿足了高端應用設計中對無膠固化工藝的要求。
產(chǎn)品特點
標準規(guī)格4、8、16、32通道或客戶自定義的多種規(guī)格V型槽光纖陣列；
高V型槽采用Si刻蝕工藝制成；
適用于直徑為125/250μm的單模、多模和保偏光纖，更多規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制；
V型槽間隔標準為127μm 和250μm，或根據(jù)客戶要求定制；
可選表面金屬鍍膜；
設計合Telcordia標準。
產(chǎn)品應用
集成光學器件尾纖封裝工藝；
平面光波導（PLC）連接；
密集波分復用（DWDM）多通道模塊連接；
光學傳感器連接和反饋；
有源器件陣列連接；
光學微機電系統(tǒng)（MEMS）器件間連接。
其他說明
|
型號 P/N |
通道數(shù)量 VN |
通道間隔 VS（µm） |
芯片長度 CL（mm） |
芯片寬度 CW（mm） |
邊距 ED（mm） |
芯片厚度 （mm） |
|
MTT-SVG-2-250-8-2.5-1 |
2 |
250 |
8 |
2.5 |
1.125 |
1 |
|
MTT-SVG-4-250-8.15-2.5-1 |
4 |
250 |
8.15 |
2.5 |
0.875 |
1 |
|
MTT-SVG-8-127-10-2.8-1 |
8 |
127 |
10 |
2.8 |
0.955 |
1 |
|
MTT-SVG-8-250-8.15-3.2-1 |
8 |
250 |
8.15 |
3.2 |
0.725 |
1 |
|
MTT-SVG-16-127-12-3.2-1 |
16 |
127 |
12 |
3.2 |
0.647 |
1 |
|
MTT-SVG-32-127-12-5.7-1 |
32 |
127 |
12 |
5.7 |
0.881 |
1 |
|
MTT-SVG-64-127-12-10-1 |
64 |
127 |
12 |
10 |
1.000 |
1 |
