探測(cè)器硅半導(dǎo)體探測(cè)器
劑量當(dāng)量范圍:0uSv—999uSv,1.000mSv—999.9mSv,1.000Sv--9.999Sv
0mrem—9.999mrem,1.000rem---999.9rem
顯示誤差 r射線:+-10%(0.1mSv—9.999Sv,137Cs)
β射線:+-15%(0.5mSv—9.999Sv,90Sr)
能量范圍 r射線:30KeV~6MeV
β射線:300kev~2.3MeV
能量特性 r射線:+-20%β射線:+-30%
方向特性 r射線:+-20%β射線:+-30%
電池壽命 1年以上(8小時(shí))
外形尺寸 60x78x27mm
質(zhì)量小于100g