氮化鋁底板，第三代晶閘管模塊，性能優(yōu)且穩(wěn)，國(guó)際。
一、特點(diǎn)
單向?qū)щ娦灾笜?biāo)，“漏電流”只及標(biāo)準(zhǔn)的1／200且長(zhǎng)期穩(wěn)定。
DBC底板使模塊工作壽命指標(biāo)，承受冷熱沖擊次數(shù)至少高過(guò)標(biāo)準(zhǔn)10倍（氧化鋁DBC底板為5倍）。
散熱能力強(qiáng)，同等條件溫升，避免快速熱老化擊穿。
浪涌電流為額定值的19〜42倍（標(biāo)準(zhǔn)16倍）。
電壓臨界上升率高DV／dt≥1000V／μs，不易誤觸發(fā)。
額定電流3〜4倍（標(biāo)準(zhǔn)為1倍）時(shí)，管壓降只有1.2〜1.7V.
配上瞬態(tài)衰減器，可承受4KV脈沖群、浪涌過(guò)電壓，避免快速電老化擊穿，耐壓無(wú)須過(guò)1600V.
它以前太貴，工藝新使工業(yè)級(jí)產(chǎn)品的價(jià)格降到與國(guó)產(chǎn)可控硅模塊差不多，便于普及應(yīng)用。
二、電連接
模塊內(nèi)含有二個(gè)晶閘管芯；通用電連接型式，代號(hào)為C.1、2、3為功率端，配有不銹鋼螺釘，可作為一個(gè)整流臂，用于直流電路；也可把2、3短接成一個(gè)端，1為另一端，構(gòu)成“反并聯(lián)”連接，用于交流電路。5、6端分別為對(duì)應(yīng)的晶閘管的門(mén)控制端，可用電線錫焊后引出。
三、主要應(yīng)用
整流器、充電器、變流器、無(wú)功補(bǔ)償節(jié)電器、交流調(diào)壓器、固態(tài)開(kāi)關(guān)等。
四、模塊底板
市面上的晶閘管模塊大多數(shù)是代產(chǎn)品，3mm厚的銅底板沉甸甸的。銅板、陶瓷層、硅芯片三層材料熱膨脹系數(shù)相差很大，冷熱沖擊使層間開(kāi)裂損壞，屬淘汰產(chǎn)品。
第二代晶閘管模塊采用氧化鋁DBC（Dire Bonding Copper）底板，由0.3mm薄銅皮與氧化鋁（白色）鍵合成一體開(kāi)裂，見(jiàn)圖2.但是氧化鋁的熱膨脹系數(shù)與硅芯片相差還不夠小，二者之間還會(huì)微裂。
第三代晶閘管模塊采用DBC底板，由0.3mm薄銅皮與陶瓷層（白色）鍵合而成一體開(kāi)裂。而且陶瓷層與硅芯片的熱膨脹系數(shù)相接近，也不易開(kāi)裂。福建省電子產(chǎn)品監(jiān)督檢測(cè)所測(cè)試證實(shí)：產(chǎn)品耐用性指標(biāo)“承受冷熱循環(huán)次數(shù)”／T7826-1995（即IEC T7）標(biāo)準(zhǔn)的10。模塊“工作壽命”難題才得到滿意解決。目前國(guó)際上只有個(gè)別廠家能生產(chǎn)（第三代）長(zhǎng)命晶閘管模塊。
一、特點(diǎn)
單向?qū)щ娦灾笜?biāo)，“漏電流”只及標(biāo)準(zhǔn)的1／200且長(zhǎng)期穩(wěn)定。
DBC底板使模塊工作壽命指標(biāo)，承受冷熱沖擊次數(shù)至少高過(guò)標(biāo)準(zhǔn)10倍（氧化鋁DBC底板為5倍）。
散熱能力強(qiáng)，同等條件溫升，避免快速熱老化擊穿。
浪涌電流為額定值的19〜42倍（標(biāo)準(zhǔn)16倍）。
電壓臨界上升率高DV／dt≥1000V／μs，不易誤觸發(fā)。
額定電流3〜4倍（標(biāo)準(zhǔn)為1倍）時(shí)，管壓降只有1.2〜1.7V.
配上瞬態(tài)衰減器，可承受4KV脈沖群、浪涌過(guò)電壓，避免快速電老化擊穿，耐壓無(wú)須過(guò)1600V.
它以前太貴，工藝新使工業(yè)級(jí)產(chǎn)品的價(jià)格降到與國(guó)產(chǎn)可控硅模塊差不多，便于普及應(yīng)用。
二、電連接
模塊內(nèi)含有二個(gè)晶閘管芯；通用電連接型式，代號(hào)為C.1、2、3為功率端，配有不銹鋼螺釘，可作為一個(gè)整流臂，用于直流電路；也可把2、3短接成一個(gè)端，1為另一端，構(gòu)成“反并聯(lián)”連接，用于交流電路。5、6端分別為對(duì)應(yīng)的晶閘管的門(mén)控制端，可用電線錫焊后引出。
三、主要應(yīng)用
整流器、充電器、變流器、無(wú)功補(bǔ)償節(jié)電器、交流調(diào)壓器、固態(tài)開(kāi)關(guān)等。
四、模塊底板
市面上的晶閘管模塊大多數(shù)是代產(chǎn)品，3mm厚的銅底板沉甸甸的。銅板、陶瓷層、硅芯片三層材料熱膨脹系數(shù)相差很大，冷熱沖擊使層間開(kāi)裂損壞，屬淘汰產(chǎn)品。
第二代晶閘管模塊采用氧化鋁DBC（Dire Bonding Copper）底板，由0.3mm薄銅皮與氧化鋁（白色）鍵合成一體開(kāi)裂，見(jiàn)圖2.但是氧化鋁的熱膨脹系數(shù)與硅芯片相差還不夠小，二者之間還會(huì)微裂。
第三代晶閘管模塊采用DBC底板，由0.3mm薄銅皮與陶瓷層（白色）鍵合而成一體開(kāi)裂。而且陶瓷層與硅芯片的熱膨脹系數(shù)相接近，也不易開(kāi)裂。福建省電子產(chǎn)品監(jiān)督檢測(cè)所測(cè)試證實(shí)：產(chǎn)品耐用性指標(biāo)“承受冷熱循環(huán)次數(shù)”／T7826-1995（即IEC T7）標(biāo)準(zhǔn)的10。模塊“工作壽命”難題才得到滿意解決。目前國(guó)際上只有個(gè)別廠家能生產(chǎn)（第三代）長(zhǎng)命晶閘管模塊。
其他說(shuō)明
參數(shù)見(jiàn)下表.
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
