產(chǎn)品介紹：
　　HS-CLT少子壽命測(cè)試儀是一款功能異常強(qiáng)大的少子壽命測(cè)試儀，不適用于硅片少子壽命的測(cè)量，更適用于硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測(cè)量。少子測(cè)試量程從1μs到20000μs，硅料電阻率下限達(dá)0.1Ω。cm，（可擴(kuò)展至0.01Ω。cm）。測(cè)試過程動(dòng)態(tài)曲線監(jiān)控，少子壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況，是原生多晶硅料及半導(dǎo)體及太陽能拉晶企業(yè)得少子壽命測(cè)量?jī)x器。
　　
　　產(chǎn)品特點(diǎn)
　　■測(cè)試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片（用于硅棒尾部反切2mm以上）等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測(cè)量。
　　■主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進(jìn)廠、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過程中屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。
　　■適用于低阻硅料少子壽命的測(cè)量，電阻率測(cè)量范圍可達(dá)ρ＞0.1Ω•cm（可擴(kuò)展至0.01Ω•cm），解決了微波光電導(dǎo)無法檢測(cè)低阻單晶硅的問題。
　　■監(jiān)控動(dòng)態(tài)測(cè)試過程，避免了微波光電導(dǎo)（u-PCD）無法觀測(cè)晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。
　　■貫穿深度大，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測(cè)量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。
　　■定制樣品架程度地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測(cè)試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
　　■，價(jià)格遠(yuǎn)低于國外國外少子壽命測(cè)試儀產(chǎn)品，地降低了企業(yè)的測(cè)試成本。
　　
　　推薦工作條件
　　■溫度：23&plun;2℃
　　■濕度：60%~70%
　　■無強(qiáng)磁場(chǎng)、不與高頻設(shè)備鄰近
　　
　　技術(shù)指標(biāo)
　　■主機(jī)構(gòu)成：HS-CLT少子壽命測(cè)試儀主機(jī)1臺(tái)，HS-CAL讀顯機(jī)1臺(tái)，測(cè)試樣片1片，光源線，信號(hào)線，光源電板，塵罩，砝碼，立柱，樣品托架
　　■測(cè)試范圍廣：硅半導(dǎo)體材料-硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片（用于硅棒尾部反切2mm以上）等，鍺半導(dǎo)體材料，拋光，研磨，裸片多種類型都可測(cè)試
　　■少子壽命測(cè)試范圍：1μs-20000μs
　　■電阻率范圍：0.1Ω。cm-10000Ω。cm
　　■激光波長(zhǎng)：904-905nm/1.06-1.07um
　　■工作頻率：30MHz
　　■低輸出阻，輸出功率＞1W
　　■電源：～220V 50Hz 功耗＜50W
　　■檢測(cè)分辨率：0.1﹪。
　　■測(cè)試點(diǎn)大小：<10m㎡。