技術(shù)參數(shù)：
　　電位控制范圍：0-±12.8V
　　電位掃描分辯率±0.1mV
　　槽壓：±30V
　　輸出電流：±250mA
　　電流測量分辯率±15fA
　　A／D分辨率：24bit（＜1KHz），16bit（＞1KHz）
　　D／A分辨率：16bit
　　溫度穩(wěn)定性：＜10UV／℃
　　電位輸出：0.2％±1
　　電流掃描范圍：±250mA
　　電流測量量程：±100nA～±250mA共14檔
　　電流輸出：0.2％±1
　　電位測量量程：±0V～±12.8V
　　CV和LSV掃描度：0.0001-10000mV／s
　　CA和CC脈沖寬度：0.0001-1，000sec
　　
　　CA和CC階躍次數(shù)：320
　　ACV頻率：0.1-10KHz
　　SWV頻率：1-100KHz
　　DPV和NPV脈沖寬度：0.0001-10sec
　　輸入阻／／輸入電容＞1012／／＜20pF
　　輸入偏流＜20pA
　　數(shù)據(jù)長度 128，000點
　　電設(shè)置：三電或四電設(shè)置
　　連續(xù)測量時間取樣間隔＊數(shù)據(jù)長度
　　儀器尺寸：360＊300＊12（厘米）
　　儀器重量：3kg
　　
　　分析測試方法：
　　恒電位儀
　　單電位階躍計時電流法（I-T）
　　循環(huán)伏安法（CV）
　　多電位階躍計時電流法（I-T）
　　線性掃描伏安法（LSV）
　　
　　單電位階躍計時電量法（Q-T）
　　階梯伏安法（SCV）
　　多電位階躍計時電量法（Q-T）
　　Tafel圖（TAFEL）
　　線性掃描溶出伏安法（SCV）
　　
　　計時電流法（CA）
　　階梯溶出伏安法（SCV）
　　計時電量法（CC）
　　方波溶出伏安法（SWV）
　　差示脈沖伏安法（DPV）
　　差示脈沖溶出伏安法（DPV）
　　常規(guī)脈沖伏安法（NPV）
　　階梯循環(huán)伏安法（SCV）
　　方波伏安法（SWV）
　　
　　線性掃描循環(huán)伏安法（CV）
　　差示常規(guī)脈沖伏安法
　　差示脈沖循環(huán)伏安法（DPV）
　　恒電位電解電流-時間曲線（I-T）
　　恒電位溶出電流-時間曲線（I-T）
　　恒電位電解電量-時間曲線（Q-T）
　　恒電位溶出電量-時間曲線（Q-T）
　　
　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：
　　1.研究電化學(xué)機理。
　　2.物質(zhì)的定性定量分析。
　　3.常規(guī)電化學(xué)測試。
　　4.生物技術(shù)
　　5.納米科學(xué)
　　6.傳感器研究
　　7.電池研究
　　8.電鍍研究

其他說明

線性掃描伏安法 (LSV)	恒電位電解電流 - 時間曲線 ( I-T )
循環(huán)伏安法 (CV)	恒電位電解電量 - 時間曲線 ( Q-T )
線性掃描溶出伏安法 (LSV)	恒電位溶出電流 - 時間曲線 ( I-T )
階梯伏安法 (SCV)	恒電位溶出電量 - 時間曲線 ( Q-T )
階梯循環(huán)伏安法 (SCV)	單電位階躍計時電流法 ( I-T )
階梯溶出伏安法 (SCV)	多電位階躍計時電流法 ( I-T )
方波伏安法 (SWV)	單電位階躍計時電量法 ( Q-T )
方波循環(huán)伏安法 (SWV)	多電位階躍計時電量法 ( Q-T )
方波溶出伏安法 (SWV)	電位溶出 E-T 曲線
常規(guī)脈沖伏安法 (NPV)	開路電勢 E-T 曲線
差示脈沖伏安法 (DPV)	單電流階躍計時電位法
差示脈沖溶出伏安法 (DPV)	多電流階躍計時電位法
差示常規(guī)脈沖伏安法 (DNPV)	控制電流 E-T 曲線
塔菲爾圖 (TAFEL)

單恒電位儀電位范圍: &plun;12.8V	D/A 轉(zhuǎn)換速率 18bit
電流范圍 &plun;250mA	A/D 轉(zhuǎn)換速率 24bit
槽壓: &plun;15V	CV 和 LSV 掃描速度 0.1 ~ 10000mV/s
電位上升時間﹤ 0.25 微秒	電位掃描時電位增量: 0.1mV@200mV/mS
靈敏度 1 ╳ 10 -14 A	DPV 和 NPV 脈沖寬度 2 ~ 5000ms
電流測量分辨率﹤ 0. 1pA	SWV 頻率 1 ~ 100KHz
CV 的小電位增量: 0.01mV	自動和手動電流,電位位調(diào)整
電位更新速率: 5MHz	電位和電流測量低通濾波器,自動和手動設(shè)置