氧化硅比表面積測(cè)試儀
精微高博是氧化硅比表面積測(cè)試儀具的廠商，精微高博氧化硅比表面積測(cè)試儀一并榮獲中國(guó)計(jì)量院測(cè)試證書(shū)，ISO9001及CE并且還有的產(chǎn)品是通過(guò)高新技術(shù)企業(yè)
精微高博氧化硅比表面積測(cè)試儀經(jīng)技術(shù)鑒定，控制和測(cè)試國(guó)際水平，已在國(guó)內(nèi)普遍應(yīng)用。
氧化硅比表面積測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：
氧化硅比表面積測(cè)試儀測(cè)試原理：靜態(tài)容量法，低溫氮吸附（或其他吸附氣體）；
氧化硅比表面積測(cè)試儀測(cè)試：≤±1.5%（比表面）；
氧化硅比表面積測(cè)試儀測(cè)試氣體：高純氮?dú)猓?9.999%），或其它氣體（如Ar、Kr、CH4、CO2等）；
氧化硅比表面積測(cè)試儀測(cè)試范圍：0.01（m2/g）－－至無(wú)上限（比表面積）；
氧化硅比表面積測(cè)試儀分析站：4個(gè)樣品分析站，可同時(shí)進(jìn)行樣品測(cè)試；
氧化硅比表面積測(cè)試儀杜瓦瓶：每個(gè)分析站原配單獨(dú)的真空玻璃內(nèi)膽杜瓦瓶，共4個(gè)；
氧化硅比表面積測(cè)試儀升降系統(tǒng)：4個(gè)樣品分析站原位設(shè)有4套的升降系統(tǒng)，電動(dòng)控制、自動(dòng)控制，且互不干擾；
氧化硅比表面積測(cè)試儀脫氣系統(tǒng)：4個(gè)樣品分析站標(biāo)配同位、原位脫氣系統(tǒng)：4個(gè)加熱包，4套溫控系統(tǒng)，均可程序升溫控制，程序升溫設(shè)置階數(shù)多達(dá)10階；另外可選配外置式異位4位真空脫氣預(yù)處理系統(tǒng)；
氧化硅比表面積測(cè)試儀脫氣溫度：室溫—400℃，±1℃；
氧化硅比表面積測(cè)試儀壓力傳感：樣品分析站采用4個(gè)壓力傳感器（0-120KPa），±0.15%；
氧化硅比表面積測(cè)試儀真空泵：采用外置式雙級(jí)旋片式機(jī)械真空泵（自動(dòng)返油）；（不能采用內(nèi)置式機(jī)械泵，避免機(jī)械泵的長(zhǎng)時(shí)間震動(dòng)影響測(cè)試，同時(shí)可以的延長(zhǎng)儀器的使用壽命）
氧化硅比表面積測(cè)試儀限真空：限真空度4-6.7*10-2Pa；
氧化硅比表面積測(cè)試儀氮分壓范圍：P/Po 準(zhǔn)確可控范圍達(dá)10-4-0.998，可測(cè)1000點(diǎn)以上；
氧化硅比表面積測(cè)試儀數(shù)據(jù)控制方法：平衡壓力智能控制法，吸脫附孔徑分布分析分六段優(yōu)化設(shè)置，全自動(dòng)控制；
氧化硅比表面積測(cè)試儀應(yīng)用領(lǐng)域：吸附劑（如碳，硅膠，氧化鋁，分子篩，炭，硅酸鈣，海泡石，沸石等）；陶瓷原材料（如氧化鋁，氧化鋯，硅酸鹽，氮化鋁，二氧化硅，氧化釔，氮化硅，石英，碳化硅等）；橡塑材料補(bǔ)強(qiáng)劑（如炭黑，白碳黑，納米碳酸鈣，碳黑，白炭黑等）；電池材料（如鈷酸鋰，錳酸鋰，石墨，鎳鈷酸鋰，氧化鈷，磷酸鐵鋰，鈦酸鋰，三元素，三元素材料，聚合物，聚合物材料，聚合物電池材料，堿錳材料，鋰離子材料，鋰錳材料，堿性材料，鋅錳材料，石英粉，鎂錳材料，碳性材料，鋅空材料，鋅汞材料，乙炔黑，鎳氫材料，鎳鎘材料，隔膜，物資，添加劑，導(dǎo)電劑，緩蝕劑，錳粉，電解二氧化錳，石墨粉，氫氧化亞鎳，泡沫鎳，改性石墨材料，正物質(zhì)，負(fù)物質(zhì)，鋅粉等）；金屬氧化物（如氧化鋅，氧化鈣，氧化鈉，氧化鎂，氧化鋇，氧化鐵，氧化銅等）；磁性粉末材料（如四氧化三鐵，鐵氧體，氧化亞鐵等）；納米金屬材料（如納米銀粉，鐵粉，銅粉，鎢粉，鎳粉，鋁粉，鈷粉等）；行業(yè)（如顏填料，柱填料，無(wú)機(jī)顏料，碳酸鈣，氧化硅，礦物粉，沉積物，懸浮物等）；無(wú)機(jī)粉體材料（如氧化鈦，二氧化鈦等）；納米材料（如納米粉體材料，納米陶瓷材料等）；稀土，煤炭，水泥，儲(chǔ)能材料，催化劑（硅藻土），凈化劑，助濾劑，發(fā)光稀土粉末材料，粉體材料，粉末材料，細(xì)纖維，多孔織物，復(fù)合材料等粉體和顆粒材料的比表面積及孔徑的檢測(cè)分析，廣泛適用于高校及科研院所材料研究和粉體材料生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)控。
氧化硅比表面積測(cè)試儀的研發(fā)商
研發(fā)比表面，比表面積，比表面積儀，比表面測(cè)定儀，真密度儀，真密度測(cè)試儀，比表面積測(cè)試儀，比表面積測(cè)定儀，比表面及孔徑分析儀，比表面積分析儀，孔徑分析儀，孔徑分布，孔隙率測(cè)定儀，孔隙率分析儀，孔隙度分析儀，比表面及孔隙率測(cè)定儀，孔容測(cè)定儀，物理吸附儀等。
精微高博是一家以研發(fā)，生產(chǎn)及銷(xiāo)售氧化硅比表面積測(cè)試儀器檢測(cè)儀器的具有的公司
本公司經(jīng)營(yíng)比表面，氧化硅比表面積測(cè)試儀，比表面測(cè)定儀，比表面分析儀，比表面及孔徑分析儀，比表面測(cè)試等，質(zhì)量，歡迎咨詢(xún)洽談。
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精微高博氧化硅比表面積測(cè)試儀經(jīng)技術(shù)鑒定，控制和測(cè)試國(guó)際水平，已在國(guó)內(nèi)普遍應(yīng)用。
氧化硅比表面積測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：
氧化硅比表面積測(cè)試儀測(cè)試原理：靜態(tài)容量法，低溫氮吸附（或其他吸附氣體）；
氧化硅比表面積測(cè)試儀測(cè)試：≤±1.5%（比表面）；
氧化硅比表面積測(cè)試儀測(cè)試氣體：高純氮?dú)猓?9.999%），或其它氣體（如Ar、Kr、CH4、CO2等）；
氧化硅比表面積測(cè)試儀測(cè)試范圍：0.01（m2/g）－－至無(wú)上限（比表面積）；
氧化硅比表面積測(cè)試儀分析站：4個(gè)樣品分析站，可同時(shí)進(jìn)行樣品測(cè)試；
氧化硅比表面積測(cè)試儀杜瓦瓶：每個(gè)分析站原配單獨(dú)的真空玻璃內(nèi)膽杜瓦瓶，共4個(gè)；
氧化硅比表面積測(cè)試儀升降系統(tǒng)：4個(gè)樣品分析站原位設(shè)有4套的升降系統(tǒng)，電動(dòng)控制、自動(dòng)控制，且互不干擾；
氧化硅比表面積測(cè)試儀脫氣系統(tǒng)：4個(gè)樣品分析站標(biāo)配同位、原位脫氣系統(tǒng)：4個(gè)加熱包，4套溫控系統(tǒng)，均可程序升溫控制，程序升溫設(shè)置階數(shù)多達(dá)10階；另外可選配外置式異位4位真空脫氣預(yù)處理系統(tǒng)；
氧化硅比表面積測(cè)試儀脫氣溫度：室溫—400℃，±1℃；
氧化硅比表面積測(cè)試儀壓力傳感：樣品分析站采用4個(gè)壓力傳感器（0-120KPa），±0.15%；
氧化硅比表面積測(cè)試儀真空泵：采用外置式雙級(jí)旋片式機(jī)械真空泵（自動(dòng)返油）；（不能采用內(nèi)置式機(jī)械泵，避免機(jī)械泵的長(zhǎng)時(shí)間震動(dòng)影響測(cè)試，同時(shí)可以的延長(zhǎng)儀器的使用壽命）
氧化硅比表面積測(cè)試儀限真空：限真空度4-6.7*10-2Pa；
氧化硅比表面積測(cè)試儀氮分壓范圍：P/Po 準(zhǔn)確可控范圍達(dá)10-4-0.998，可測(cè)1000點(diǎn)以上；
氧化硅比表面積測(cè)試儀數(shù)據(jù)控制方法：平衡壓力智能控制法，吸脫附孔徑分布分析分六段優(yōu)化設(shè)置，全自動(dòng)控制；
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氧化硅比表面積測(cè)試儀的研發(fā)商
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