典型應(yīng)用：E-Scan Refractometer為一精密過(guò)程控制儀表，其設(shè)計(jì)便于安裝在管道、儲(chǔ)罐、反應(yīng)釜等容器上。
半導(dǎo)體工業(yè)型可用于CMP、AMP、濕刻、顯影、清洗和稀釋等工藝中的化學(xué)藥劑的濃度在線檢測(cè)。
通用型廣泛應(yīng)用于化學(xué)工業(yè)、石油化學(xué)工業(yè)、輕紡工業(yè)、半導(dǎo)體及電子工業(yè)、鋼鐵工業(yè)、食品及制藥工業(yè)、工業(yè)等。被測(cè)介質(zhì)舉例如下（不局限于以下舉例）：
？、鹽酸、硝酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銨、氯化鈉、溴化鋰等等。
??？甲醇、乙醇、、已烷、、汽油、煤油等等。
？洗滌劑，是氟化物洗滌劑的取代品。
?。颗欧?，亦適用于其它各種液體和溶液。
E-Scan Refractometer 被設(shè)計(jì)用于實(shí)時(shí)濕用的化學(xué)品的濃度監(jiān)測(cè)硅晶片制造。E-Scan Refractometer 提供了一種連續(xù)測(cè)量信號(hào)（4-20mA或RS485），它提供實(shí)時(shí)監(jiān)控和許多的可能性過(guò)程控制。由于的數(shù)字測(cè)量原則上沒(méi)有信號(hào)漂移。
主要受益的實(shí)時(shí)監(jiān)控與 E-Scan Refractometer 的潛在收益增加晶片的形式吞吐量。確切的化學(xué)流取決于浴化學(xué)和序列，化學(xué)濃度，清洗時(shí)間和溫度。目的是為了與優(yōu)化的處理多個(gè)晶片化學(xué)量，并盡量減少設(shè)備停機(jī)在晶片的整個(gè)處理過(guò)程的時(shí)間。某些濕化學(xué)品需要一個(gè)單獨(dú)的處理系統(tǒng)。的廢物流通常是不適合于內(nèi)部回收或再利用。因此，無(wú)論經(jīng)濟(jì)和環(huán)境的可以節(jié)省化學(xué)廢物處理實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化使用的化學(xué)品。
晶圓清洗
通過(guò)使用各種液體進(jìn)行晶圓清洗從表面去除污染物的化學(xué)物質(zhì)的硅晶片。常用的方法RCA清洗過(guò)程中，在那里RCA-1清潔，也稱(chēng)為SC-1（標(biāo)準(zhǔn)干凈的1），是用于殘余物和微粒清除。RCA-2清除干凈，或SC-2（標(biāo)準(zhǔn)清潔2），金屬?gòu)木奈廴疚铩偙F和SPM除硅氧化物和屬物分別。E-Scan Refractometer 提供一種方法，用于監(jiān)測(cè)在使用點(diǎn)（POU）的化學(xué)品的混合和交付。
濕法刻蝕
用于化學(xué)濕蝕刻刪除圖層（金屬，硅，光致蝕劑）的表面的在制造過(guò)程中晶圓。腐蝕劑，侵蝕基板同樣在方向上，被稱(chēng)為各向同性的?，F(xiàn)代化的進(jìn)程更傾向于各向異性蝕刻，因?yàn)樗鼈儺a(chǎn)生尖銳，以及控制功能。
幾個(gè)各向異性的濕蝕刻劑可用于硅。例如，氫氧化鉀（KOH）和四甲基氫氧化銨（TMAH）通常用于此目的。
的KOH浴中硅的刻蝕速率取決于浴溫度和KOH濃度。
硅的刻蝕速率是一個(gè)函數(shù)的KOH濃度和浴溫。由于蝕刻的進(jìn)展，一些KOH（即OH-離子）是過(guò)程中所消耗。E-Scan Refractometer提供了一個(gè)KOH濃度的指示，并有助于確定正確的腐蝕終點(diǎn)。這種方式的bathlife可以增加，和晶圓廢料和化學(xué)廢物小化。
折射率給出了一個(gè)總的指示的溶解固體。使用硅的蝕刻KOH水混合形成了一個(gè)三級(jí)的解決方案，溶解硅。硅酸鹽的影響，需要從KOH濃度要補(bǔ)償閱讀。E-Scan Refractometer 提供了一種方法（這折射儀補(bǔ)償申請(qǐng)中）輸出讀數(shù)。補(bǔ)償因子可以在控制系統(tǒng)中實(shí)施的。同樣的現(xiàn)象被認(rèn)為是在氮化硅的蝕刻熱法磷酸蝕刻后硅片清洗蝕刻后的晶片清洗的目的是從晶片除去殘?jiān)?。蝕刻后清洗通常是通過(guò)胺（例如羥胺），氟化物或第四紀(jì)（例如NMP）中基于化學(xué)品。
E-Scan Refractometer 測(cè)量濃度的蝕刻后的清潔劑，例如聚合物如EKC的清除。這提供了一個(gè)實(shí)時(shí)浴壽命的指示，這有助于晶片的產(chǎn)量和實(shí)現(xiàn)化學(xué)品的消耗顯著節(jié)省。
化學(xué)機(jī)械平坦化
為了使晶片表面平滑后金屬沉積，稱(chēng)為化學(xué)的方法使用磨料的CMP除去施加機(jī)械平坦化（CMP）的過(guò)度金屬
泥漿，它通常含有二氧化硅或氧化鋁顆粒和一個(gè)移動(dòng)的拋光墊。體積分配和混合方法是要的因?yàn)榇罅康臐{料，這是需要在大批量制造工廠。
通常情況下，CMP制程使用過(guò)氧化氫（H2O2）作為氧化劑泥漿。氫過(guò)氧化氫，在漿料中作為氧化劑使用，需要
現(xiàn)場(chǎng)混合，因?yàn)樗幸粋€(gè)短的適用期，未穩(wěn)定長(zhǎng)的時(shí)間允許運(yùn)輸。緊控制時(shí)，過(guò)氧化氫的混合混合物是很重要的，因?yàn)樘嗟乃梢詫?dǎo)致晶片污染。
E-Scan Refractometer 提供了一個(gè)實(shí)時(shí)過(guò)氧化氫濃度監(jiān)測(cè)方法CMP研磨漿的的POU混合的?！?
半導(dǎo)體工業(yè)型可用于CMP、AMP、濕刻、顯影、清洗和稀釋等工藝中的化學(xué)藥劑的濃度在線檢測(cè)。
通用型廣泛應(yīng)用于化學(xué)工業(yè)、石油化學(xué)工業(yè)、輕紡工業(yè)、半導(dǎo)體及電子工業(yè)、鋼鐵工業(yè)、食品及制藥工業(yè)、工業(yè)等。被測(cè)介質(zhì)舉例如下（不局限于以下舉例）：
？、鹽酸、硝酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銨、氯化鈉、溴化鋰等等。
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？洗滌劑，是氟化物洗滌劑的取代品。
?。颗欧?，亦適用于其它各種液體和溶液。
E-Scan Refractometer 被設(shè)計(jì)用于實(shí)時(shí)濕用的化學(xué)品的濃度監(jiān)測(cè)硅晶片制造。E-Scan Refractometer 提供了一種連續(xù)測(cè)量信號(hào)（4-20mA或RS485），它提供實(shí)時(shí)監(jiān)控和許多的可能性過(guò)程控制。由于的數(shù)字測(cè)量原則上沒(méi)有信號(hào)漂移。
主要受益的實(shí)時(shí)監(jiān)控與 E-Scan Refractometer 的潛在收益增加晶片的形式吞吐量。確切的化學(xué)流取決于浴化學(xué)和序列，化學(xué)濃度，清洗時(shí)間和溫度。目的是為了與優(yōu)化的處理多個(gè)晶片化學(xué)量，并盡量減少設(shè)備停機(jī)在晶片的整個(gè)處理過(guò)程的時(shí)間。某些濕化學(xué)品需要一個(gè)單獨(dú)的處理系統(tǒng)。的廢物流通常是不適合于內(nèi)部回收或再利用。因此，無(wú)論經(jīng)濟(jì)和環(huán)境的可以節(jié)省化學(xué)廢物處理實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化使用的化學(xué)品。
晶圓清洗
通過(guò)使用各種液體進(jìn)行晶圓清洗從表面去除污染物的化學(xué)物質(zhì)的硅晶片。常用的方法RCA清洗過(guò)程中，在那里RCA-1清潔，也稱(chēng)為SC-1（標(biāo)準(zhǔn)干凈的1），是用于殘余物和微粒清除。RCA-2清除干凈，或SC-2（標(biāo)準(zhǔn)清潔2），金屬?gòu)木奈廴疚铩偙F和SPM除硅氧化物和屬物分別。E-Scan Refractometer 提供一種方法，用于監(jiān)測(cè)在使用點(diǎn)（POU）的化學(xué)品的混合和交付。
濕法刻蝕
用于化學(xué)濕蝕刻刪除圖層（金屬，硅，光致蝕劑）的表面的在制造過(guò)程中晶圓。腐蝕劑，侵蝕基板同樣在方向上，被稱(chēng)為各向同性的?，F(xiàn)代化的進(jìn)程更傾向于各向異性蝕刻，因?yàn)樗鼈儺a(chǎn)生尖銳，以及控制功能。
幾個(gè)各向異性的濕蝕刻劑可用于硅。例如，氫氧化鉀（KOH）和四甲基氫氧化銨（TMAH）通常用于此目的。
的KOH浴中硅的刻蝕速率取決于浴溫度和KOH濃度。
硅的刻蝕速率是一個(gè)函數(shù)的KOH濃度和浴溫。由于蝕刻的進(jìn)展，一些KOH（即OH-離子）是過(guò)程中所消耗。E-Scan Refractometer提供了一個(gè)KOH濃度的指示，并有助于確定正確的腐蝕終點(diǎn)。這種方式的bathlife可以增加，和晶圓廢料和化學(xué)廢物小化。
折射率給出了一個(gè)總的指示的溶解固體。使用硅的蝕刻KOH水混合形成了一個(gè)三級(jí)的解決方案，溶解硅。硅酸鹽的影響，需要從KOH濃度要補(bǔ)償閱讀。E-Scan Refractometer 提供了一種方法（這折射儀補(bǔ)償申請(qǐng)中）輸出讀數(shù)。補(bǔ)償因子可以在控制系統(tǒng)中實(shí)施的。同樣的現(xiàn)象被認(rèn)為是在氮化硅的蝕刻熱法磷酸蝕刻后硅片清洗蝕刻后的晶片清洗的目的是從晶片除去殘?jiān)?。蝕刻后清洗通常是通過(guò)胺（例如羥胺），氟化物或第四紀(jì)（例如NMP）中基于化學(xué)品。
E-Scan Refractometer 測(cè)量濃度的蝕刻后的清潔劑，例如聚合物如EKC的清除。這提供了一個(gè)實(shí)時(shí)浴壽命的指示，這有助于晶片的產(chǎn)量和實(shí)現(xiàn)化學(xué)品的消耗顯著節(jié)省。
化學(xué)機(jī)械平坦化
為了使晶片表面平滑后金屬沉積，稱(chēng)為化學(xué)的方法使用磨料的CMP除去施加機(jī)械平坦化（CMP）的過(guò)度金屬
泥漿，它通常含有二氧化硅或氧化鋁顆粒和一個(gè)移動(dòng)的拋光墊。體積分配和混合方法是要的因?yàn)榇罅康臐{料，這是需要在大批量制造工廠。
通常情況下，CMP制程使用過(guò)氧化氫（H2O2）作為氧化劑泥漿。氫過(guò)氧化氫，在漿料中作為氧化劑使用，需要
現(xiàn)場(chǎng)混合，因?yàn)樗幸粋€(gè)短的適用期，未穩(wěn)定長(zhǎng)的時(shí)間允許運(yùn)輸。緊控制時(shí)，過(guò)氧化氫的混合混合物是很重要的，因?yàn)樘嗟乃梢詫?dǎo)致晶片污染。
E-Scan Refractometer 提供了一個(gè)實(shí)時(shí)過(guò)氧化氫濃度監(jiān)測(cè)方法CMP研磨漿的的POU混合的?！?
