用以測(cè)試太陽(yáng)能級(jí)硅材料和硅片的少數(shù)載流子壽命
產(chǎn)品特點(diǎn):
采用微波光電導(dǎo)衰退法;擁有發(fā)明;
采用紅外大功率單色激光器;
測(cè)試數(shù)據(jù)一致性好。
主要參數(shù):
測(cè)試范圍:?jiǎn)纹驂K狀硅材料;擴(kuò)散形成P-N后的太陽(yáng)電池
測(cè)試方式:無(wú)接觸,單點(diǎn)測(cè)試
少子壽命:0.1um-1ms
測(cè)試速度:2秒/點(diǎn)
測(cè)試不重復(fù)度:≤2%