| WZPK505U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-505U，的詳細資料： |
1． 測溫范圍、允差
2.熱響應(yīng)時間 在溫度出現(xiàn)階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應(yīng)時間，用t0.5表示。 3.自熱影響 鉑電阻允許通過電流1mA，測量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。 4.電阻溫度系數(shù)（α）與標稱值的偏差
5.緣電阻 當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻緣電阻不小于100MΩ。 薄膜鉑電阻元件 一、 概述 CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品合IEC標準。 二、 技術(shù)特點 1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。 2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的震和沖擊性能。 3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的緣性。 4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。 5． 規(guī)格：
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