JFY3021A晶體管參數(shù)測(cè)試儀詳細(xì)介紹
※概述:
JFY3021A晶體管參數(shù)測(cè)試儀，是一種專門用于各種電子元件參數(shù)測(cè)試的新型多功能測(cè)試裝置。該機(jī)采用大規(guī)模MCU設(shè)計(jì),中文界面操作,大容量?jī)?nèi)存,可存2000種元件參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù).儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、操作簡(jiǎn)單、使用方便,適用電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠家或電子元件供應(yīng)商來料檢測(cè)。
※ 測(cè)量元件類型:
N型三管,P型三管,N型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管N型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,正負(fù)三端穩(wěn)壓IC,三端肖特基,基準(zhǔn)器431,整流二管.
※ 測(cè)量參數(shù):
■ 整流二管,三端肖特基:
參數(shù)項(xiàng) | 測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試條件設(shè)置 |
正向壓降(VF) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐壓(VRR) | 0-1500V | 0-2.000MA |
■N型三管:
參數(shù)項(xiàng) | 測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試條件設(shè)置 |
輸入正向壓降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐壓(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
放大倍數(shù)(HEF) | 0-3000 | VCE:0-20V IC:0-2.000A |
飽和壓降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
■P型三管:
參數(shù)項(xiàng) | 測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試條件設(shè)置 |
輸入正向壓降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐壓(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
放大倍數(shù)(HEF) | 0-3000 | VCE:5.0V IB:100uA |
飽和壓降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
N,P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管:
參數(shù)項(xiàng) | 測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試條件設(shè)置 |
啟動(dòng)電壓(VGS(th)) | 0-20.00V | 0-2.000mA |
耐壓(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000mA |
導(dǎo)通內(nèi)阻(Rson) | 1Mr-200R | Vgs:0-20V Id:0-2.000A |
三端穩(wěn)壓IC:
參數(shù)項(xiàng) | 測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試條件設(shè)置 |
輸出電壓(Vo) | 0-20.00V | Vin:0-20V Io:0-2.00A |
基準(zhǔn)IC 431:
參數(shù)項(xiàng) | 測(cè)試參數(shù) | 測(cè)試條件設(shè)置 |
輸出電壓(Vo) | 0-20.00V | IZ:0-200mA |
