生長方法 | VB | ||
導(dǎo)電類型 | N型 | ||
摻雜元素 | Si | ||
直徑 | 2-4 | 英寸 | |
方向 | (100) 150 ± 10′off toward〈111〉A | ||
載流子濃度 | Min: 0.2 E18 | Max: 4.0 E18 | /cm3 |
電阻率 | Min: 0.8 E-3 | Max: 9.0 E-3 | Ohm.cm |
遷移率 | ≥ 1800 | cm2/v.s | |
位錯密度 | ≤ 3500 | /cm2 |
其他規(guī)格可按客戶要求提供
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生長方法 | VB | ||
導(dǎo)電類型 | N型 | ||
摻雜元素 | Si | ||
直徑 | 2-4 | 英寸 | |
方向 | (100) 150 ± 10′off toward〈111〉A | ||
載流子濃度 | Min: 0.2 E18 | Max: 4.0 E18 | /cm3 |
電阻率 | Min: 0.8 E-3 | Max: 9.0 E-3 | Ohm.cm |
遷移率 | ≥ 1800 | cm2/v.s | |
位錯密度 | ≤ 3500 | /cm2 |
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