實(shí)驗(yàn)室純水設(shè)備,去離子水設(shè)備,高純水機(jī)
硅是地球上儲(chǔ)藏豐富的材料之一，從19世紀(jì)科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后，它幾乎改變了，甚至的思維。直到上世紀(jì)60年始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有和輻射性能較好，適宜制作大功率器件的特性而成為應(yīng)用多的一種半導(dǎo)體材料，目前的集成電路半導(dǎo)體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。
現(xiàn)在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產(chǎn)業(yè)化快的。
熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。
單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。
單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國(guó)內(nèi)和國(guó)際市場(chǎng)對(duì)單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場(chǎng)需求也呈快速的趨勢(shì)。
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體生長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶硅棒材，外延法生長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法生長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。
由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲(chǔ)器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。
單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅已滲透到國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)科技中各個(gè)領(lǐng)域，當(dāng)今過2000億美元的電子通信半導(dǎo)體市場(chǎng)中95%以上的半導(dǎo)體器件及99%以上的集成電路用硅。
多晶硅是由許多硅原子及許多小的晶粒組合而成的硅晶體。由于各個(gè)晶粒的排列方向彼此不同，其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深銀灰色，不透明，具有金屬光澤，性脆，常溫下不活潑。
多晶硅是用金屬硅(工業(yè)硅)經(jīng)化學(xué)反應(yīng)、提純,再還原得到的高純度材料(也叫還原硅)。目前世界上多晶硅生產(chǎn)的方法主要有改良西門子法(SiHCl3)、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2熱分解法、SiCl4法等多晶硅生產(chǎn)工藝。
當(dāng)前多晶硅的市場(chǎng)狀況是：從國(guó)際上來看，早幾年多晶硅還處于供過于求的局面，2004年開始，由于太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，太陽能用多晶硅供不應(yīng)求，導(dǎo)致多晶硅供應(yīng)緊張。在國(guó)內(nèi)，我國(guó)多晶硅生產(chǎn)長(zhǎng)期不能滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需要，嚴(yán)重依賴于。
中怡公司是單晶硅和多晶硅生產(chǎn)工藝用純水設(shè)備的生產(chǎn)廠商，單晶硅純水設(shè)備的具體參數(shù)如下：
工業(yè)純水處理：
RO＋CEDI＋S
設(shè)備處力：按客戶要求設(shè)計(jì)
出水指標(biāo)：≥16-18.2MΩ．CM
產(chǎn)水用途：電子、等行業(yè)用工業(yè)純水
反滲透＋EDI
設(shè)備處力：按客戶要求設(shè)計(jì)
出水指標(biāo)：≥16-.18.2MΩ．CM
產(chǎn)水用途：電子、單晶硅/多晶硅用工業(yè)純水、純水
反滲透（膜分離法）純水分離技術(shù)
反滲透是用的壓力使溶液中的溶劑（一般指水）通過反滲透膜（一種半透膜）而分離出來，方向與滲透方向相反，可使用大于滲透壓的反滲透法進(jìn)行分離、提純和濃縮溶液。反滲透膜的主要分離對(duì)象是溶液中的離子范圍
反滲透分離過程有如下優(yōu)點(diǎn)：
①不需加熱，沒有相變
②能耗少，過程連續(xù)穩(wěn)定
③設(shè)備體積小、操作簡(jiǎn)單、適應(yīng)
④對(duì)環(huán)境
反滲透純水系統(tǒng)根據(jù)不同的源水水質(zhì)采用不同的工藝，一般自來水經(jīng)反滲透處理后，產(chǎn)水電導(dǎo)率＜10～20us/cm，經(jīng)二級(jí)反滲透處理后＜5us/cm，甚至更低，在反滲透系統(tǒng)后輔以離子交換設(shè)備或EDI設(shè)備可以制備純水，使電阻率18.2兆歐姆.厘米。
