- 產(chǎn)品品牌：
- 霍尼韋爾Honeywell
- 產(chǎn)品型號(hào)：
- 高溫芯片傳感器
- 制作工藝：
- -
- 輸出信號(hào)：
- -
| HT1104 高溫四重組裝超低輸入偏置電流運(yùn)算放大器 | |
|
額定溫度：-55℃至+255℃ 單流或分流運(yùn)算 共模輸入電壓范圍包括電源負(fù)限 低輸入偏置與補(bǔ)償參數(shù) 輸入/輸出過(guò)載保護(hù) 高輸入阻抗和超低偏置電流 電介質(zhì)分離的無(wú)閉鎖設(shè)計(jì) 密封14引線陶瓷DIP 數(shù)據(jù)表單 (PDF) 97k |
|
| HT1204 高溫四重組模擬開關(guān) |
|
額定溫度：-55℃到+225℃ 225℃時(shí)滲漏為500nA 低控制輸入電流 線性度高 開關(guān)之間串?dāng)_低 密封14引線陶瓷DIP 電介質(zhì)分離的無(wú)閉鎖設(shè)計(jì) 單個(gè)開關(guān)控制 CMOS邏輯電平 數(shù)據(jù)表單 (PDF) 156k |
| HT506/HT507 高溫模擬多路復(fù)用器 16通道單/8通道雙 |
|
額定溫度范圍-55℃到+225℃ 先斷后合開關(guān) 無(wú)閉鎖 I225℃時(shí)電阻400 I225℃時(shí)8通道漏電1.2A 分離或單一供電性能 數(shù)據(jù)表單 (PDF) 112k |
| HTANFET 高溫N溝道電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
|
額定溫度：-55℃至+225℃ 持續(xù)輸出電流可達(dá)1Amp 典型輸入電壓可達(dá)90V 絕緣層上覆硅(SOI) 4引腳電源帶式封裝或 帶整體散熱器的8引腳陶瓷Dip 數(shù)據(jù)表單 169k |
| HTPLREG 高溫正線性穩(wěn)壓器 |
|
額定溫度范圍： -55℃至+225℃ 輸出電流可達(dá)300mA 校準(zhǔn)+15,+10和+5V輸出 輸入電壓可達(dá)-28V 靜態(tài)電流3.0mA 電流極限和短路保護(hù) 密封4-引腳封裝 數(shù)據(jù)表單 94k |
| HTCCG 高溫晶體時(shí)鐘發(fā)生器 |
|
額定溫度：-55℃至+225℃ 與CMOS/TTL 相匹配 輸出頻率24KHz-20MHz 被2,4,8 分開 單5V 供電電源 密封14引腳陶瓷DIP 與外部晶體接口 數(shù)據(jù)表單 148k |
| HT6256 高溫靜態(tài)存儲(chǔ)器 | |
|
額定溫度：-55℃至+225℃ 用THMOSTM IV絕緣層上覆硅生產(chǎn) 讀取/寫入循環(huán)時(shí)間 50ns支持20MHz時(shí)鐘 異步操作 輸入/輸出緩沖器 單5V 10%供電電源 密封28引線陶瓷DIP 數(shù)據(jù)表單 (PDF) 246k |
|
| HT83C51 高溫83C51微控制器 | |
|
IHTMOS額定溫度：-55℃至+225℃ 優(yōu)化8-bit CPU用于5V控制用途 四個(gè)8-bit雙向平行端口 三個(gè)帶有一個(gè)遞增/遞減定時(shí)器/計(jì)數(shù)器和時(shí)鐘輸出的16-bit定時(shí)器/計(jì)數(shù)器 可編程計(jì)數(shù)器陣列 帶有七個(gè)源極和四個(gè)優(yōu)先級(jí)的中斷結(jié)構(gòu) 半雙方的可編程串行端口帶有~成幀誤差檢測(cè)~自動(dòng)地址識(shí)別 I64k外部程序存儲(chǔ)器地址空間 數(shù)據(jù)表單 (PDF) 296k |
|
