產(chǎn)品品牌：

ACEGEM

產(chǎn)品型號：

ZNC-1C

       www.ace-gem.com卓耐科技推出的ZNC-1C是一款功能強大的少子壽命測試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測量。少子測試量程從1μs到6000μs，硅料電阻率下限達0.1Ω.cm(可擴展至0.01Ω.cm)。測試過程全程動態(tài)曲線監(jiān)控，少子壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應表面復合效應等缺陷情況.

使用范圍

       用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項目。

產(chǎn)品特點
       測試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅       片等的少子壽命及鍺單晶的少  子壽命測量。主要應用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進廠、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。適用于低阻硅料少子壽命的測量，電阻率測量范圍可達ρ＞0.1Ω?cm（可擴展至0.01Ω?cm），完全解決了微波光電導無法檢測低阻單晶硅的問題。全程監(jiān)控動態(tài)測試過程，避免了微波光電導（u-PCD）無法觀測晶體硅陷阱效應，表面復合效應缺陷的問題。  貫穿深度大，達500微米，相比微波光電導的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測量，避免了表面復合效應的干擾。 定制樣品架程度地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。性價比高，價格遠低于國外國外少子壽命測試儀產(chǎn)品，極大程度地降低了企業(yè)的測試成本。

技術(shù)參數(shù)
測量范圍               硅晶體電阻率：0.005-50000Ω•cm
鍺單晶：               0.1-100Ω•cm
可測材料               硅半導體材料 - 硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片等，鍺半導體材料
少子壽命               1μs-6000μs
可測硅料電阻率      ≥0.1Ω.cm
激光波長               1.07μm
貫穿深度               500μm
供電電源                ～220V 50Hz 功耗＜50W
推薦使用環(huán)境          溫度：23±2℃   相對溫度：≤65%