OCXO    Oven controlled Crystal Oscillators   恒溫晶振

一、應(yīng)用                  

通訊、航空、航天、軍事、移動通信、數(shù)字程控交換機、網(wǎng)絡(luò)傳輸、接入網(wǎng)、光傳輸、雷達、導(dǎo)航、電子對、無線通信、測試設(shè)備、鎖相環(huán)電路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窩基站、頻率合成器

二、主要技術(shù)指標

1)Frequency Range 頻率范圍:1.00-160.00MHz

2)SC Cut OCXO   AT Cut OCXO

3)Initial Calibration 頻率準確度: A ≤±0.5ppm @25℃    B ≤±0.1ppm @25℃ 

                                  C ≤±0.05ppm @25℃   D ≤±0.01ppm @25℃  

4)Frequency Adjustment 頻率調(diào)整:  1 ≥ ±0.5ppm  2 ≥ ±1.0ppm  3 ≥ ±3.0ppm

                                  4 ≥ ±5.0ppm  5 ≥ ±7.0ppm  6 ≥ ±10ppm

5)Control Voltage壓控電壓 ： 0 - 5V

6)Operating Temperature 工作溫度范圍: E    0-+50℃  F  -10-+60℃  G  -20-+70℃ 

H  -30-+75℃  I  -40-+75℃  J  -40-+85℃

7)Frequency Stability 溫度頻率穩(wěn)定度: 1 ppb = ppm 1/1000

K  ±0.1ppm     L  ±0.05ppm    M  ±0.0pm     N  ±0.02ppm

O  ±0.01ppm    P ±0.0pm     Q  ±0.005ppm    R  ±0.001ppm

8)Output Waveform 輸出波形: 1 HCMOS            2  TTL                 3 ACMOS

4 Sine   輸出電平   ≥+2dBm    ≥+5dBm    @ 50?

諧波抑制   ≤-20dBc   ≤-30dBc   @ 50?

雜波抑制   ≤-70dBc   ≤-75dBc   @ 50?

5 Clipped Sine      ≥1Vp-p    10k?//10pF

9)Supply Voltage 工作電壓范圍: S 3.3V   T 5.0V   U 12.0V   W  15.0V

10)Power Consumption 功耗：Warm up 開機 ≤3.5W-7.0W 

                           @25℃   穩(wěn)定 ≤1.2W-3.5W

11)Phase Noise 相位噪聲:

12)Ageing 頻率老化率: ±0.1ppm maximum in first year ±1.0ppm maximum for 10 years

                      ±0.5ppm maximum in first year ±2.0ppm maximum for 10 years

13)Package Outline 封裝、尺寸:

N DIP 21*13*12mm   O DIP 20*20*10mm  P DIP 25*19*15mm      Q DIP 30*30*16mm

R DIP 36*27*16mm   S DIP 38*38*16mm  T DIP 50*50*16mm      U SMD 25*22*14mm

14)Storage Temperature 儲存溫度范圍： -55-+90℃

三、產(chǎn)品定型 RTO-10MHZ-SC A 1 J K 1 U N