- 品牌/商標(biāo)：rich
特點(diǎn)及用途：
高壓型陶瓷電容器具有耐直流高壓的特點(diǎn)，適用于高壓旁路和耦合電路中。其中的低損耗高壓圓片瓷介電容器具有較低的介質(zhì)損耗，特別適合在電視接收機(jī)的行掃描等電路中使用。
公司主要生產(chǎn)瓷介電容器及相關(guān)電容器的編帶產(chǎn)品（自動插件機(jī)用），品種包括高頻瓷介電容器（CC1）、高介瓷介電容器（CT1）、高壓瓷介電容器（CC81~CT81）、超高壓瓷介電容器（CT82）、抑制電磁干擾用交流安規(guī)瓷介電容器（CT7 Y1/X1、Y2）和壓敏電阻器（MY）等，月產(chǎn)銷各類電容1億只以上。
技術(shù)指標(biāo)：
| 電容量(capacitance) | 18pF～33000pF |
| 電容量允許偏差(capacitance tolerance) | K(±10%),M(±20%),Z(+80%-20%) |
| 使用溫度(operating temperature) | -25℃～85℃ |
| 溫度特性(temperature characteristic) | Y5P,Y5U,Y5V,SL,BN,Y5R |
| 額定電壓(rated voltage) | 1KVDC,2KVDC,3KVDC |
| 損耗角正切值(dissipation factor)(tgδ) | Y5P、Y5U、Y5V: tgδ≤2.0% BN: tgδ≤0.5% Y5R: tgδ≤0.2% SL:Cr<30pF,Q≥400+20Cr;Cr≥30pF,Q≥1000 Ⅰ類:1MHz,1±0.2Vrms,25℃ Ⅱ類:1KHz,1±0.2Vrms,25℃ |
| 絕緣電阻(insulation resistance)(IR) | IR≥10000MΩ @ 25℃,500VDC |
| 耐電壓(voltage proof) | 1.5Ur+500 |
| 測試電壓(testing voltage) | 2 times the rated voltage or 1.5 times the rated voltage +500V（whichever is smaller） 1分鐘無擊穿，無飛弧 |
| 封裝(encapsulation) | 1KV:酚醛樹脂 ≥2KV:環(huán)氧樹脂 |
詳細(xì)的產(chǎn)品參數(shù)請致電廠家查詢！
產(chǎn)品特點(diǎn)：
?、儆捎陔娙萜鞯慕橘|(zhì)材料為陶瓷，所以耐熱性能良好，不容易老化。
②瓷介電容器能耐酸堿及鹽類的腐蝕，抗腐蝕性好。
③低頻陶瓷材料的介電常數(shù)大，因而低頻瓷介電容器的體積小、容量大。
?、芙^緣性能好，可制成高壓電容器。