儀器簡介：
高效率微粒表面沉積系統(tǒng)包括先進(jìn)的氣溶膠霧化發(fā)生、靜電分離及沉積技術(shù)，用于產(chǎn)生可溯源NIST的PSL球及加工過程顆粒沉積在晶片表面的標(biāo)準(zhǔn)晶片，用于研究不同折射稀疏對(duì)晶片檢測系統(tǒng)的影響并標(biāo)定檢測系統(tǒng)，也可用于評(píng)價(jià)晶片干法/濕法清洗系統(tǒng)的性能。
技術(shù)參數(shù)：
顆粒沉積粒徑：
標(biāo)準(zhǔn)單DMA：0.08 – 1.0 µm
可選雙DMA：0.03 – 3.0 µm
主要特點(diǎn)：
通過DMA技術(shù)去處雙顆粒、三顆粒及其它雜質(zhì)顆粒，使之不能沉積在芯片表面；
DMA測量經(jīng)過溫度及壓力補(bǔ)償、使得產(chǎn)生可溯源NIST的PSL球標(biāo)準(zhǔn)芯片；
符合CE Mark、SEMI S2/S8/S14等亞洲、歐洲及美國規(guī)范要求；
通過DMA沉積單一粒徑顆粒于芯片表面；
4個(gè)內(nèi)置超聲波霧化發(fā)生器產(chǎn)生穩(wěn)定、高濃度的氣溶膠；
每個(gè)芯片表面可沉積8個(gè)沉積點(diǎn)；
高效率微粒表面沉積系統(tǒng)包括先進(jìn)的氣溶膠霧化發(fā)生、靜電分離及沉積技術(shù)，用于產(chǎn)生可溯源NIST的PSL球及加工過程顆粒沉積在晶片表面的標(biāo)準(zhǔn)晶片，用于研究不同折射稀疏對(duì)晶片檢測系統(tǒng)的影響并標(biāo)定檢測系統(tǒng)，也可用于評(píng)價(jià)晶片干法/濕法清洗系統(tǒng)的性能。
技術(shù)參數(shù)：
顆粒沉積粒徑：
標(biāo)準(zhǔn)單DMA：0.08 – 1.0 µm
可選雙DMA：0.03 – 3.0 µm
主要特點(diǎn)：
通過DMA技術(shù)去處雙顆粒、三顆粒及其它雜質(zhì)顆粒，使之不能沉積在芯片表面；
DMA測量經(jīng)過溫度及壓力補(bǔ)償、使得產(chǎn)生可溯源NIST的PSL球標(biāo)準(zhǔn)芯片；
符合CE Mark、SEMI S2/S8/S14等亞洲、歐洲及美國規(guī)范要求；
通過DMA沉積單一粒徑顆粒于芯片表面；
4個(gè)內(nèi)置超聲波霧化發(fā)生器產(chǎn)生穩(wěn)定、高濃度的氣溶膠；
每個(gè)芯片表面可沉積8個(gè)沉積點(diǎn)；
