儀器簡(jiǎn)介：
應(yīng)用：
1.硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法（晶圓厚度0.4～2mm）,濃度范圍：
(5x1015–2x1018)±5x1015 см-3　國(guó)際標(biāo)準(zhǔn): SEMI MF1188, 
Test Method for Interstitial Oxygen Content of Silicon by Infrared 
Absorption With Short Baseline);
2.硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法（晶圓厚度0.4～2mm）,檢測(cè)范圍：
(1016–5x1017)±1016 см-3國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):  SEMI MF1391 TEST METHOD FOR 
SUBSTITUTIONAL ATOMIC CARBON CONTENT OF SILICON BY INFRARED ABSORPTION
3.硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法　國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):SEMI MF951　 
Test Method for Determination if Radial Interstitial Oxygen Variation in
Silicon Wafers);
4.硅外延層厚度的分析 (國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):SEMI MF95　 Thickness of epitaxial layers
 for silicon n-n+ and p-p+ structures: (0.5–10)±0.1 µm, (10–200)±1% µm);
5.SOS體系硅外延層厚度的分析Thickness of silicon epitaxial layers in SOS 
structures:(0.1–10) ±0.01 μm
6.BPSG/PSG中硼/磷濃度的分析Boron and/or phosphorus concentration in BPSG/PSG 
onsilicon: (1–10) ±0.2 Wt%


技術(shù)參數(shù)：
光譜范圍,cm^-1400–7800
光譜分辨率, cm^-1 1
樣品中光斑直徑, mm 6
的晶圓直徑, mm 200
分析臺(tái)定位, mm　　　　　　　　　　　　　　0.5
單點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)分析時(shí)間, sec　　　　　　　　　20
儀器尺寸, mm　　　　　　　　　　　　　　670x650x250
儀器重量, kg　　　　　　　　　　　　　　37


主要特點(diǎn)：
WT221S型半導(dǎo)體晶片測(cè)定儀是基于 WT221型多功能傅立葉紅外光譜儀開(kāi)發(fā)的專(zhuān)用自動(dòng)化分析系統(tǒng)。該晶片測(cè)定儀具備二維樣品定位臺(tái)，用于自動(dòng)分析直徑為50～300mm的晶片.　傅立葉紅外技術(shù)是半導(dǎo)體晶片和結(jié)構(gòu)非破壞有效分析方法.
WT221S型半導(dǎo)體晶片測(cè)定儀符合國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織(SEMI)的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)