產(chǎn)品品牌：

Technoorg

產(chǎn)品型號：

SC-1000

儀器描述：

專為SEM應用設計的高質(zhì)量樣品制備
• 通過斜坡切割離子減薄方式制備SEM截面樣品
• 對傳統(tǒng)SEM及EBSD樣品的終拋光及終清潔
• 用高能離子槍進行快速減薄
• 用低能離子槍對樣品表面進行溫和拋光和清潔
• 自動參數(shù)設置和操作
• 樣品臺具有旋轉(zhuǎn)及振蕩功能
• 具有高定位的專用樣品制備
• 通過高分辨CCD相機和TFT監(jiān)視器，實時監(jiān)控減薄過程

當今高端掃描電鏡研究需要高質(zhì)量、樣品表面完好無損、具有真實微觀結(jié)構(gòu)（無人造產(chǎn)物）的SEM樣品。歐洲Technoorg公司新設計的SC-1000型SEM樣品制備系統(tǒng)，采用成熟的離子束減薄技術(shù)制造，所處理的樣品表面能完全滿足這些要求。 SC-1000配置了高能和低能離子源。用高能離子槍對樣品進行快速斜坡切割，隨后用低能離子槍進行溫和的表面清潔，這樣處理過的SEM截面樣品可用于半導體失效分析和其它分析用途。此系統(tǒng)也提供離子減薄方案，用來改善和清潔機械拋光處理過的SEM樣品和制備表面無損壞的EBSD樣品。

技術(shù)規(guī)格：

• 離子源： 兩只離子槍；聚焦高能離子槍，能量范圍2keV to 10keV；聚焦低能離子槍，能量范圍100eV to 2keV
連續(xù)和獨立可調(diào)減薄能量；束流密度： 240mA/cm²（聚焦高能離子槍）；10mA/cm²（聚焦低能離子槍）
濺射速率： 180 μm/h（Si at 30º， 聚焦高能離子槍）；28 μm/h（Si at 30º， 聚焦低能離子槍）
• 樣品臺： 樣品尺寸： 斜坡切割樣品座：20mm x 20mm x 4mm；用于EBSD表面清潔的樣品座：Ø25mm x 15mm；樣品定位： 高樣品定位（斜坡切割）：<2 μm；樣品傾斜： 0° to 30°；樣品旋轉(zhuǎn)： 平面轉(zhuǎn)動360°；樣品振蕩： 平面振蕩+10° to 45°
• 真空系統(tǒng)： 無油隔膜泵加渦輪分子泵，復合真空計（皮拉尼/潘寧）
• 氣體供給： 99.999%高純氬氣，帶有電動針閥的高工作氣流控制
• 成像系統(tǒng)： 高分辨率CCD相機，帶有手動變焦鏡頭，放大倍數(shù)50-400x
• 電腦控制： 易使用圖形用戶界面，帶有可選的圖像處理模塊，自動設置離子源、減薄參數(shù)及操作控制

應用范圍：

采用離子束斜坡切割法制備各種優(yōu)質(zhì)的固體材料橫截面平面樣品，用于SEM成像觀察及顯微分析；也可通過對樣品進行溫和拋光和清潔處理，用于電子背散射衍射(EBSD)研究以及取向分布成像顯微分析（OIM）的樣品制備