北京羲和陽光科技發(fā)展有限公司
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| 母合金 |
| 半導(dǎo)體拉晶的重要摻雜元素 |
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產(chǎn)品特點 | ||||||||||||||||||
| 進(jìn)口12N電子極原生多晶硅，配摻高純度硼粉（7N）級。目前廣泛應(yīng)用在拉單晶上的為硅硼負(fù)三合金。 | |||||||||||||||||||
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母合金摻雜計算方法 | ||||||||||||||||||
| 電阻率P的單晶，它的頭部對應(yīng)的的雜質(zhì)濃度為C頭，多晶硅原料的重量為W，母合金的雜質(zhì)濃度為C母，應(yīng)摻母合金重量為M 應(yīng)摻母合金重量為M =W*C頭/（K*C母—C頭），其中K為摻雜劑原素在硅中的平衡分凝系數(shù)。 | |||||||||||||||||||
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參數(shù) | ||||||||||||||||||
| ■ 硅單晶P型10的-3次方母合金 ■ 電阻率:0.007-0.009Ω/cm2 ■ 雜質(zhì)含量指標(biāo)
■ 硅單晶P型10的-3次方母合金 ■ 電阻率:0.003-0.004Ω/cm2 ■ 雜質(zhì)含量指標(biāo)
■ 硅單晶N型10的-3次方母合金 ■ 電阻率:0.002-0.005Ω/cm2 ■ 雜質(zhì)含量指標(biāo)
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