儀器采用了新雙電測(cè)法原理進(jìn)行測(cè)量，該方法能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，從而提高了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度，使其達(dá)到±3％(目前國(guó)內(nèi)四探針測(cè)試儀一般準(zhǔn)確度為±5％)，使用本儀器測(cè)量時(shí)，由于不需要進(jìn)行幾何邊界條件和探針間距的修正，因而對(duì)各種形狀的樣品材料有廣泛的適用性。本儀器由本所與北京工業(yè)大學(xué)共同研制。中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院監(jiān)制。 用途：① 測(cè)量片狀單晶片體電阻率ρ； ② 測(cè)量離子注入片、擴(kuò)散片、異型外延片及導(dǎo)電薄膜的方塊電阻R口； ③ 判斷被測(cè)材料局部不均勻度； 技術(shù)指標(biāo): 測(cè)量范圍 ① 電阻率：0.01-200Ω.cm(可擴(kuò)展)； ② 方塊電阻：0．1-2000Ω／口(可擴(kuò)展)； ③ 測(cè)量電阻率時(shí)，片狀樣品厚度 ≤3.0 cm； 可測(cè)晶片直徑，100 cm或200 cm。
廣州半導(dǎo)體材料研究所
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