- 企業(yè)類型：制造商
- 新舊程度：全新
- 原產地：中國
EM01-PV-III特點：
1.一體化樣品臺技術，兼容測量單晶和多晶太陽電池樣品
2.新型樣品調節(jié)技術，有效提高樣品定位高
3.獨特的噪聲處理方法，顯著增強信噪比
4.新型光電增強技術，顯著降低生產現場噪聲對結果的影響
5.增加現場供電檢測和調節(jié)功能，適應更加復雜的供電環(huán)境
6.多種測量模式選擇，適合對不同要求的場合
7.多線程軟件結構，提高用戶體驗
EM01-PV-III應用領域：
單晶、多晶及各種薄膜太陽能電池的折射率和膜厚測量領域，既適合科研院所研究使用，亦適合工廠進行工藝研究分析和產線上產品檢測以及EM01系列激光橢偏
儀家族的傳統(tǒng)領域，包括半導體、集成電路、微電子、光學鍍膜、醫(yī)學與生命科學、電化學、平板顯示領域、磁介質存儲、聚合物、新材料、金屬處理等。
EM01-PV-III性能保證：
1.高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、高的采樣方法以及低噪聲探測技術，保證了系統(tǒng)的高穩(wěn)定性和高準確度；
2.高的光學自準直望遠系統(tǒng)，保證了快速、高的樣品方位對準；
3.穩(wěn)定的結構設計、可靠的樣品方位對準，結合先進的采樣技術，保證了快速、穩(wěn)定測量；
4.分立式的多入射角選擇，可應用于復雜樣品的折射率和厚度的測量；
5.一體化集成式的儀器結構設計，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高，并節(jié)省空間；
6.專用軟件方便太陽能電池測試和建模。
EM01-PV-III技術指標：
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激光波長 |
632.8nm (He-Ne laser) |
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膜層厚度 |
0.01nm (對于Si基底上110nm的SiO2膜層) 0.05nm (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) |
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折射率 |
1x10-4 (對于Si基底上110nm的SiO2膜層) 5x10-4 (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) |
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光學結構 |
PSCA |
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激光光束直徑 |
<1mm |
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入射角度 |
40°-90°可選，步進5° |
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樣品方位調整 |
三維平移調節(jié)：±12.5mm（X-Y-Z三軸） 二維俯仰調節(jié)：±4° 光學自準直系統(tǒng)對準 |
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樣品臺尺寸 |
Φ170mm |
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單次測量時間 |
0.2s |
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推薦測量范圍 |
0-2000nm |
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外形尺寸(長x寬x高) |
887 x 332 x 552mm (入射角為90o時) |
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儀器重量（凈重） |
25Kg |
