一、概述

    MOS-1型功率場效應(yīng)管測試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場效應(yīng)管參數(shù)測試裝置，可用于標(biāo)稱電流約在2-100A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場效應(yīng)管主要參數(shù)的測試。它可以準(zhǔn)確測量擊穿電壓VDSS、柵開啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測試電流可以50A，由于采用脈沖電流測試法，即使在大電流測試時也不會對被測器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對場效應(yīng)管進行參數(shù)一致性的測試（配對）；儀器可用于同等電流等級的IGBT參數(shù)的測量；儀器還是一臺性能十分的電子元器件耐壓測試裝置，其測試耐壓時的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器主要用于功率場效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗、參數(shù)的配對及其它電子元器件的耐壓測試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測試儀和P溝導(dǎo)型測試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準(zhǔn)確、操作簡單、使用方便。

二、主要技術(shù)性能

1、擊穿電壓VDSS測量范圍： 0—1999V， ：≤2.5% 。

2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。

3、柵開啟電壓VGS（th） 測量范圍： 0—10V。 ：≤5% 。

4、Gfs跨導(dǎo)測試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， ：≤10 % 。

5、Gfs跨導(dǎo)測試范圍：1—100

三、主要測試功能

1、功率場效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵開啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測試。

2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵開啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測試。

3、功率場效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測試，可用于配對。

4、對其它更大電流和功率的場效應(yīng)管及IGBT的測試：（見下面介紹）。

5、各類晶體三管、二管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測試。

6、壓敏電阻電壓的測試

四、測試盒與測試線

1、利用測試盒可以方便的測試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場效應(yīng)管和IGBT。

2、利用測試線可以測量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場效應(yīng)管和IGBT。

    即使你使用的場效應(yīng)管標(biāo)稱電流和功率遠大于本儀器所定的100A/300W，本儀器同樣可以在50A的條件