本儀器可對N溝道及P溝道大功率MOS場效應(yīng)晶體管的主要技術(shù)參數(shù)進行測量。在測量注入可10A電流時的gm及RDS(on) 等晶體管圖示儀無法檢測的參數(shù)時，采用了國際電工委員會（IEC）所規(guī)定的脈沖法進行測量，地避免了被測器件的發(fā)熱所引起的參數(shù)漂移和被測器件的破壞。

技術(shù)指標：

（1）柵源截止電壓VGS(off)：0～±12V
（2）柵源閾值電壓VGS(th) ：0～±12V
（3）漏源短路時的柵源擊穿電壓V(BR)GSS：0～±1000V
（4）漏源擊穿電壓V(BR)DS：0～±1000V
（5）漏源短路時的柵截止電流IGSS：1μA～100mA
（6）柵壓時的漏電流IDSS：1μA～100mA
（7）靜態(tài)漏源通態(tài)電阻RDS (on)）：0～1KΩ（VDS/ID）
（8）低頻跨導(dǎo)gm：1mS～100S (VDS=12V,  ID=0～10A脈沖測試)