關(guān)鍵詞:Hfo2, 鉿基鐵電,鐵電薄膜，疲勞，電滯回線
一、產(chǎn)品介紹：
HFO-100型鉿基鐵電薄膜測(cè)試儀是一款高量程款的鐵電性能材料測(cè)試裝置，這款設(shè)備可以適用于鐵電薄膜、鐵電體材料（既可塊體材料）的電性能測(cè)量，可測(cè)量鐵電薄膜電滯回線、可測(cè)出具有非對(duì)稱電滯回線鐵電薄膜值?？梢赃M(jìn)行電致應(yīng)變測(cè)試，可以蝴蝶曲線功能，設(shè)備還可以擴(kuò)展高溫電阻，高溫介電，電容-電壓曲線，TSC/TSDC等功能。鐵電材料的大規(guī)模應(yīng)用源自鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鈦酸鋇鐵電體的發(fā)現(xiàn)，直到今日鈣鈦礦鐵電體仍然是無(wú)機(jī)鐵電體中的主流。然而，在微納電子應(yīng)用中，與 CMOS 工藝更兼容的鉿基鐵電薄膜逐漸成為研究熱點(diǎn)。本儀器是從事壓電材料及壓電元件生產(chǎn)、應(yīng)用與研究部門的重要設(shè)備之一，已經(jīng)在各大高校和科研院所廣泛使用。
二、氧化鉿鐵電材料的崛起
傳統(tǒng)的鈣鈦礦類鐵電材料由于尺寸難以進(jìn)一步縮小，已經(jīng)難以滿足現(xiàn)代集成電路對(duì)高密度與高集成度的需求。而氧化鉿（HfO?）基鐵電材料憑借其卓越的微縮能力和與現(xiàn)有CMOS工藝的兼容性，成為近年來(lái)鐵電研究的熱點(diǎn)材料。氧化鉿材料的出現(xiàn)標(biāo)志著鐵電材料從傳統(tǒng)邁向現(xiàn)代，開啟了存儲(chǔ)器應(yīng)用的新紀(jì)元。
主要功能：
■高存儲(chǔ)密度：單個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管構(gòu)成，可實(shí)現(xiàn)高密度集成；
■低功耗：極化翻轉(zhuǎn)所需能量低于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器；
■高速性：操作速度小于20納秒，適合實(shí)時(shí)性要求高的應(yīng)用場(chǎng)景；
■非破壞性讀?。?/strong>避免數(shù)據(jù)讀取過(guò)程中對(duì)存儲(chǔ)狀態(tài)的破壞，提高整體存儲(chǔ)效率。
二、主要技術(shù)指標(biāo)：
1、輸出信號(hào)電壓：：±100 V可擴(kuò)展電致應(yīng)蝴蝶曲線功能
2、溫度；室溫-200℃，控溫精度：±1℃
3、控制施加頻率0.01到1KHz（陶瓷、單晶，薄膜）PC端軟件控制自定義設(shè)置；
4、控制輸出電流0到±50mA連續(xù)可調(diào)，PC端軟件控制自定義設(shè)置。
5、動(dòng)態(tài)電滯回線測(cè)試頻率范圍 0.01Hz-1kHz
7、最小脈寬保持時(shí)間為20us;最小上升沿時(shí)間為10us;
8、疲勞測(cè)試頻率500kHz（振幅10 Vpp，負(fù)載電容1 nF）；
9、測(cè)試速度：測(cè)量時(shí)間《5秒/樣品?溫度點(diǎn)
10、樣品規(guī)格：塊體材料尺寸：直徑2-100mm，厚度0.1-10mm
11、主要功能： 動(dòng)態(tài)電滯回線DHM，靜態(tài)電滯回線SHM，I-V特性，脈沖PUND，疲勞Fatigue，電擊穿強(qiáng)度BDM，漏電流LM，電流-偏壓，保持力RM，
10. 電荷解析度不小于10 mC;
漏電流測(cè)量范圍:1pA~ 20 mA，分辨率不低于0.1pA;
12、控制方式：計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)控制、實(shí)時(shí)顯示、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)計(jì)算、分析與存儲(chǔ)
13、軟件采集：自動(dòng)采集軟件，分析可以兼容其他相關(guān)主流軟件。
14、測(cè)試精度：±0.05%
15、內(nèi)置電壓：±20V
16、可增模塊：
印跡印痕IM
變溫測(cè)試THM
POM 模塊實(shí)現(xiàn)極化測(cè)量功能
CVM模塊實(shí)現(xiàn)小信號(hào)電容測(cè)試，獲得C-V曲線
PZM模塊實(shí)現(xiàn)壓電特性測(cè)試
DPM模塊測(cè)試介電性能
RTM模塊測(cè)試電阻/電阻率性能
CCDM模塊實(shí)現(xiàn)電容充放電測(cè)試。
17、探針臺(tái)(選配)：
美國(guó)TF-2000測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比圖
