高頻電流檢測方案及同軸分流器優(yōu)勢擴寫

隨著現(xiàn)代電力電子技術的高速迭代，SiC（碳化硅）與 GaN（氮化鎵）功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優(yōu)勢，在新能源汽車、光伏逆變器、5G 基站電源等領域的應用愈發(fā)廣泛。這一技術變革也對電流測量工具提出了更高要求 —— 工程師在研發(fā)、測試環(huán)節(jié)中，常常需要精準捕捉頻率高達數(shù)百 kHz、電流峰值達數(shù)十安培的高速脈沖電流，而傳統(tǒng)測量設備的性能短板正逐漸凸顯，難以適配這一新興測試場景。以我司高頻交直流探頭 HCP8000 系列為例，這類傳統(tǒng)高頻電流探頭為實現(xiàn)信號屏蔽與磁場聚焦，普遍內置鐵芯與多層屏蔽層。然而，在面對數(shù)百 kHz 的高頻電流時，這些結構材料會成為性能瓶頸：鐵芯在高頻交變磁場作用下，會因磁滯效應與渦流效應產生大量損耗，同時屏蔽層也會因高頻感應出現(xiàn)額外發(fā)熱現(xiàn)象（具體損耗與發(fā)熱程度可參考 HCP8000 系列說明書中的電流頻率減額使用曲線）。這種損耗與發(fā)熱不僅會導致測量精度下降，更可能在長時間測試或高電流沖擊下超出設備耐受極限，進而引發(fā)探頭燒毀的故障，既影響測試進度，也增加了設備維護成本，給工程師的工作帶來極大困擾。在這一背景下，同軸分流器憑借獨特的結構設計，成為高頻電流檢測領域的理想解決方案。與傳統(tǒng)探頭不同，同軸分流器采用純電阻結構，核心部件僅由高精度電阻材料構成，不含鐵芯、屏蔽層等易產生高頻損耗的元件。這一設計使其在高頻電流環(huán)境下展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢：由于不存在磁滯損耗與渦流損耗，也無屏蔽層感應發(fā)熱問題，即便在數(shù)百 kHz 的高頻工況下，其自身損耗也不會隨頻率升高而增加，始終保持穩(wěn)定的電氣性能。這種 “零額外損耗” 的特性，不僅能確保高頻電流測量的準確性與穩(wěn)定性，還能避免因發(fā)熱導致的設備損壞風險，同時無需像傳統(tǒng)探頭那樣頻繁根據(jù)頻率調整使用參數(shù)，大幅簡化了操作流程，完美適配 SiC/GaN 功率器件帶來的高頻脈沖電流測試需求，為電力電子領域的高頻測試工作提供了可靠保障。同軸分流器同軸分流器