關(guān)鍵詞：雙靶，高真空，直流，射頻，高溫
JKZC-STC600 高 真 空 雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備，可用于制備單層或多層鐵電薄 膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄 膜等。JKZC-STC600 雙靶磁控濺射儀配備有兩個靶槍和兩個電源，一個射頻電源用于非導(dǎo)電材料的濺射鍍膜，一個直流電源用于導(dǎo)電材料的濺射鍍膜，可選配強磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比，且具有體積小便 于操作的優(yōu)點，且可使用的材料范圍廣，是一款實驗室制備各類材料薄膜的理想設(shè)備。
主要特點：
·配置兩個靶槍，一個配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜，一個配套直流電源用于導(dǎo)電性材料的濺射鍍膜。 ·可制備多種薄膜，應(yīng)用廣泛。
·體積小，操作簡便。
技術(shù)數(shù)參：
產(chǎn)品名稱 | JKZC-STC600 雙靶磁控濺射儀 |
產(chǎn)品型號 | JKZC-STC600 |
安裝條件 | 本設(shè)備要求在溫度 25℃±15℃ , 濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。 1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機（加注純凈水或者去離子水） 2、電：AC220V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣（純度 99.99%以上），需自備氬氣氣瓶（自帶?6mm 雙 卡套接頭）及減壓閥 4、工作臺：尺寸 1500mm×600mm×700mm，承重 200kg 以上 5、通風(fēng)裝置：需要 |
| 1、電源電壓：220V 50Hz | |
| 2、功率：900W | |
| 3、腔體內(nèi)徑：?300mm | |
| 4、極限真空度：9.0×10-4Pa | |
| 5、樣品臺加熱溫度：RT-500℃ , 精度±1℃（可根據(jù)實際需要提升溫度） | |
| 6、靶槍數(shù)量：2 個（可選配其他數(shù)量） | |
| 7、靶槍冷卻方式：水冷 | |
| 8、靶材尺寸：?2 ″ ，厚度 0.1-5mm（因靶材材質(zhì)不同厚度有所不同） | |
| 9、直流濺射功率：500W；射頻濺射功率：300W。（靶電源種類可選，可選擇兩個直 流電源，也可選擇兩個射頻電源，或選則一個直流一個射頻電源） | |
| 10、載樣臺：?140mm，可根據(jù)客戶需求選配加裝偏壓功能，以實現(xiàn)更高質(zhì)量的鍍膜。 | |
| 11、載樣臺轉(zhuǎn)速：1rpm-20rpm 內(nèi)可調(diào) | |
| 12、工作氣體：Ar 等惰性氣體 | |
| 13、進氣氣路：質(zhì)量流量計控制 2 路進氣，一路為 100SCCM，另一路為 200SCCM。 | |
14、產(chǎn)品規(guī)格、尺寸： 主機尺寸：500mm×560mm×660mm 整機尺寸：1300mm×660mm×1200mm 真空室規(guī)格： φ300×300mm ·重量：160kg |
標(biāo)準(zhǔn)配件
序號 | 名稱 | 數(shù)量 | 圖片鏈接 |
1 | 直流電源控制系統(tǒng) | 1 套 | - |
2 | 射頻電源控制系統(tǒng) | 1 套 | - |
3 | 膜厚監(jiān)測儀系統(tǒng) | 1 套 | - |
4 | 分子泵（德國進口或者國產(chǎn)更大抽速） | 1 臺 | - |
5 | 冷水機 | 1 臺 | - |
6 | 聚酯 PU 管 (?6mm） | 4m | - |
可選配件：
序號 | 名稱 | 功能類別 | 圖片鏈接 |
1 | 金、銦、銀、 白金等各種靶材 | （可選） | - |
2 | 可選配強磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。 | （可選） | |
3 | 雙層旋轉(zhuǎn)鍍膜夾具 | （可選） |
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濺射條件：工作氣壓 10pa 左右，濺射電壓 3000V，靶電流密度 0.5mA/cm2,薄膜沉積速率低于 0.1μm/min。
工作原理：先讓惰性氣體（通常為 Ar 氣）產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象產(chǎn)生帶電的離子；帶電離子緊電場加速撞擊靶材表面， 使靶材原子被轟擊而飛出來，同時產(chǎn)生二次電子，再次撞擊氣體原子從而形成更多的帶電離子；靶材原子攜帶著足 夠的動能到達被鍍物（襯底）的表面進行沉積。隨著氣壓的變化，濺射法薄膜沉積速率將出現(xiàn)一個極大值，但氣壓 很低的條件下，電子的自由程較長，電子在陰極上消失的幾率較大，通過碰撞過程引起氣體分子電離的幾率較低， 離子在陽極上濺射的同時發(fā)射出二次電子的幾率又由于氣壓較低而相對較小，這些均導(dǎo)致低氣壓條件下濺射的速率 很低。在壓力 1Pa 時甚至不易維持自持放電！隨著氣壓的升高，電子的平均自由程減小，原子的電離幾率增加，濺 射電流增加，濺射速率增加。
適宜濺射靶材種類為不易氧化的輕金屬,如 Au,Ag,Pt等
射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術(shù)。
工作條件：射頻濺射可以在 1Pa 左右的低壓下進行，濺射電壓 1000V，靶電流密度 1.0 mA/cm2，薄膜沉積速率
0.5μm/min。
工作原理：人們將直流電源換成交流電源。由于交流電源的正負性發(fā)生周期交替，當(dāng)濺射靶處于正半周時，電子流 向靶面，中和其表面積累的正電荷，并且積累電子，使其表面呈現(xiàn)負偏壓，導(dǎo)致在射頻電壓的負半周期時吸引正離 子轟擊靶材，從而實現(xiàn)濺射。由于離子比電子質(zhì)量大，遷移率小，不像電子那樣很快地向靶表面集中，所以靶表面 的點位上升緩慢，由于在靶上會形成負偏壓，所以射頻濺射裝置也可以濺射導(dǎo)體靶。在射頻濺射裝置中，等離子體 中的電子容易在射頻場中吸收能量并在電場內(nèi)振蕩，因此，電子與工作氣體分子碰撞并使之電離產(chǎn)生離子的概率變大，故使得擊穿電壓、放電電壓及工作氣壓顯著降低。
優(yōu)點：
1、可在低氣壓下進行，濺射速率高。
2、不僅可濺射金屬靶，也可濺射絕緣靶，可以把導(dǎo)體，半導(dǎo)體，絕緣體中的任意材料薄膜化。
3、必須十分注意接地問題。
適宜濺射的靶材種類為各種類型的固體靶材,金屬,半導(dǎo)體,絕緣體靶材均可濺射,尤為適用于易產(chǎn)生氧化絕緣層的 靶材.如 Al,Ti,Mg 等金屬以及 TiQ2,ZnO 等氧化物靶材.
