詢價(jià)
- 少子壽命測(cè)量范圍：0.25μS～10ms
- 晶體樣品（研磨面）電阻率下限：≥0.3Ω·cm
- 電阻率測(cè)量上限：尚未發(fā)現(xiàn)
- 重復(fù)頻率：＞15次/S
- 紅外光源長(zhǎng)波長(zhǎng)：1.06～1.08μm
高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀庫(kù)號(hào)D301889
高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀庫(kù)號(hào)D301889
高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀為了能直接讀取壽命值編寫(xiě)了軟件存入數(shù)字存儲(chǔ)示波器，這些軟件依照少子壽命測(cè)量的基本原理編寫(xiě)，同時(shí)采用了標(biāo)準(zhǔn)（MF28及MF1535）中推薦的幾種讀數(shù)方法。
高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀擴(kuò)大了晶體少子壽命可測(cè)范圍，除配置了波長(zhǎng)為1.07μm的紅外發(fā)光管外，增加配備了波長(zhǎng)為0.904～0.905μm光強(qiáng)的紅外激光器，減小了光源的余輝，使晶體（研磨面）可測(cè)電阻率低至0.3Ω·cm，壽命可測(cè)下限延至0.25μs。
LT-100C型壽命儀配有兩種光源電極臺(tái)，一種波長(zhǎng)為1.07μm，適合于測(cè)量硅單晶塊或棒的體壽命；另一種波長(zhǎng)為0.904～0.905μm，適合于測(cè)量切割或研磨太陽(yáng)能硅片的相對(duì)壽命，與微波反射法測(cè)量條件相近，因此測(cè)量值也較接近
技術(shù)參數(shù)
（1）儀器測(cè)量范圍：
少子壽命測(cè)量范圍：0.25μS～10ms；晶體樣品（研磨面）電阻率下限≥0.3Ω·cm，尚未發(fā)現(xiàn)電阻率測(cè)量上限。
型號(hào)：N型或P型單晶或鑄造多晶。
（2）光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率＞15次/S 脈寬≥10μs
紅外光源長(zhǎng)波長(zhǎng)：1.06～1.08μm 脈沖電流：～16A
紅外光源短波長(zhǎng)：0.904～0.905μm 脈沖電流：～16A
（3）高頻源
頻率：30MHZ 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
（4）放大器和檢波器
頻率響應(yīng)：2HZ～2MHZ
放大倍數(shù)：30倍（約）
（5）儀器所配置的光源電極臺(tái)既可測(cè)縱向放置的單晶，亦可測(cè)量豎放單晶橫截面的壽命。配置增加了測(cè)量低阻樣片用的升降臺(tái)以及裝有特殊彈形電極的光源電極臺(tái)。
（6）讀數(shù)方式：可選配載流子壽命測(cè)試軟件系統(tǒng)或數(shù)字示波器讀數(shù)，軟件系統(tǒng)測(cè)試操作簡(jiǎn)單，點(diǎn)擊“測(cè)量”即可，自動(dòng)保存數(shù)據(jù)及相應(yīng)測(cè)試點(diǎn)衰減波形到數(shù)據(jù)庫(kù)，可進(jìn)行查詢歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。
