- 測量范圍：4KV
- 測量精度：0.05%
- 重量：10KG
泰思特EDS 10IC元器件半導體靜電放電發(fā)生器3Ctest/3C測試中國EDS 10IC靜電放電發(fā)生器(EDS 10IC靜電放電發(fā)生器針對人體模型(HBM)和機械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗的特點和要求專門設計，可以對LED、晶體管、IC等半導體器件進行靜電抗擾度的測試。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相應標準的要求，同時完全滿足上述所有標準中嚴酷等級的靜電電壓要求。
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3Ctest/3C測試中國EDS 10IC靜電放電發(fā)生器(特點：
全新三代控制平臺 ，觸摸屏智能化控制。
自動識別阻容模塊，并調(diào)整大電壓。
低電壓5V，1V步進調(diào)節(jié)電壓
可完成單次或自動放電測試，可設置次數(shù)、頻率等參數(shù)。
Human Body Model (HBM)
Machine Model (MM)
ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
ANSI /ESD-STM5.1 2007
MIL-STD-883G 28 Feb.2006
ANSI/JEDEC JS-001-2010
JEDEC JESD22- A115C Nov.2010
技術參數(shù) | |
HBM 短路電流參數(shù) | |
放電電容 | 100 pF |
放電電阻 | 1500 Ω |
峰值電流Ips | 0.17 A +10% @250 V 0.33 A +10% @500 V 0.67 A +10% @1000 V 1.33 A +10% @2000 V 2.67 A +10% @4000 V |
上升時間 | 2 ns~10 ns |
脈沖寬度 | 150 ns + 20 ns |
振鈴幅度 | <15%峰值電流 |
HBM 500歐電阻電流參數(shù) | |
峰值電流Ipr | 375 mA~550 mA @ 1000V 1.5 A~2.2 A @ 4000V |
Ipr/Ips | ≥ 63% |
上升時間 | 5 ns~25 ns |
MM短路電流參數(shù) | |
放電電容 | 200 pF |
放電電阻 | 0 ù |
峰值電流Ip1 | 0.44 A +20% @25 V 0.88 A +20% @50 V 1.75 A +10% @100 V 3.5 A +10% @200 V 7.0 A +10% @400 V |
Ip2/Ip1 | 67%~90% |
周期 | 66 ns~90 ns |
MM 500歐電阻電流參數(shù) | |
峰值電流Ipr | 0.85 A~1.2 A @ 400 V |
100 ns電流值 I100 | 0.23 A~0.40 A @ 400 V |
I200/I100 | 30%~55% |
通用參數(shù) | |
輸出電壓 | HBM 5 V~8000 V (5%+5V) MM 5 V~1000V (5%+5V) |
極性 | 正、負或正負交替 |
頻率 | 0.1 Hz~5 Hz |
觸發(fā)次數(shù) | 1~999次 |
觸發(fā)方式 | 自動，手動，外觸發(fā) |
輸入電源 | AC 100 V ~240 V ，+10% 50 Hz /60 Hz |
環(huán)境溫度 | 15℃~35℃ |
儲藏溫度 | -10℃~50℃ |
相對濕度 | 25%~75% |
尺寸 | 450 mm x320 mm x190 mm(長x寬x高) |
重量 | 約10 kg |
