原理：

在磁控濺射中，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時(shí)，經(jīng)過(guò)多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí)，已變成低能電子，從而不會(huì)使基片過(guò)熱。

參數(shù)：

?主機(jī)規(guī)格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）

?靶（上部電極）：金：50mm×0.1mm（D×H）

?靶材：Au（標(biāo)配）

?樣品室：玻璃腔體160mm×120mm（D×H）

?靶材尺寸：Ф50mm 

?高真空度：≤ 4X10-2 mbar

?大電流：100mA

?定時(shí)器：數(shù)碼計(jì)時(shí) 0-999S

?鍍膜面積：50mm

?微型真空氣閥：可連接φ3mm軟管

?可通入氣體：多種

?高電壓：-1600 DCV

?機(jī)械泵：標(biāo)準(zhǔn)配置2L/S（國(guó)產(chǎn)VRD-8）

?冷卻方式：冷水機(jī)（可根據(jù)實(shí)驗(yàn)具體要求自備）

?速率：0--60nm/min

用途：

1、適用于電鏡實(shí)驗(yàn)室的掃描電子顯微鏡（SEM）觀察前對(duì)樣品的噴金、噴鉑。

2、非導(dǎo)體材料實(shí)驗(yàn)電極制作（噴金、噴鉑。噴銀等）

3、其他可以滿足條件的鍍膜實(shí)驗(yàn)。

特點(diǎn)：

1、成膜速率高。

2、基片溫度低，可以對(duì)溫度敏感的材料進(jìn)行鍍膜。

3、可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜。

4、可調(diào)節(jié)濺射電流和真空室壓強(qiáng)以控制鍍膜的速率和顆粒的大小，顆粒大小約4-20nm。

5、SETPLASMA手動(dòng)啟動(dòng)按鈕可預(yù)先設(shè)置好壓強(qiáng)和濺射電流避免對(duì)膜造成不必要的損傷。

6、真空保護(hù)可避免真空過(guò)低造成設(shè)備短路。

7、同時(shí)可以通過(guò)換不同的靶材（金、鉑、銥、銀、銅等），以達(dá)到細(xì)顆粒的涂層。

8、通過(guò)通入不同的惰性氣體以達(dá)到純凈的涂層。

原理：

在磁控濺射中，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時(shí)，經(jīng)過(guò)多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí)，已變成低能電子，從而不會(huì)使基片過(guò)熱。

參數(shù)：

?主機(jī)規(guī)格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）

?靶（上部電極）：金：50mm×0.1mm（D×H）

?靶材：Au（標(biāo)配）

?樣品室：玻璃腔體160mm×120mm（D×H）

?靶材尺寸：Ф50mm 

?高真空度：≤ 4X10-2 mbar

?大電流：100mA

?定時(shí)器：數(shù)碼計(jì)時(shí) 0-999S

?鍍膜面積：50mm

?微型真空氣閥：可連接φ3mm軟管

?可通入氣體：多種

?高電壓：-1600 DCV

?機(jī)械泵：標(biāo)準(zhǔn)配置2L/S（國(guó)產(chǎn)VRD-8）

?冷卻方式：冷水機(jī)（可根據(jù)實(shí)驗(yàn)具體要求自備）

?速率：0--60nm/min

用途：

1、適用于電鏡實(shí)驗(yàn)室的掃描電子顯微鏡（SEM）觀察前對(duì)樣品的噴金、噴鉑。

2、非導(dǎo)體材料實(shí)驗(yàn)電極制作（噴金、噴鉑。噴銀等）

3、其他可以滿足條件的鍍膜實(shí)驗(yàn)。

特點(diǎn)：

1、成膜速率高。

2、基片溫度低，可以對(duì)溫度敏感的材料進(jìn)行鍍膜。

3、可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜。

4、可調(diào)節(jié)濺射電流和真空室壓強(qiáng)以控制鍍膜的速率和顆粒的大小，顆粒大小約4-20nm。

5、SETPLASMA手動(dòng)啟動(dòng)按鈕可預(yù)先設(shè)置好壓強(qiáng)和濺射電流避免對(duì)膜造成不必要的損傷。

6、真空保護(hù)可避免真空過(guò)低造成設(shè)備短路。

7、同時(shí)可以通過(guò)換不同的靶材（金、鉑、銥、銀、銅等），以達(dá)到細(xì)顆粒的涂層。

8、通過(guò)通入不同的惰性氣體以達(dá)到純凈的涂層。磁控濺射儀磁控濺射儀磁控濺射儀磁控濺射儀