詢價(jià)
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- 是否全新：全新
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- 是否質(zhì)保：質(zhì)保
- 顏色：圖片色
參照標(biāo)準(zhǔn)：
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法-方法2直流兩探法；
SEMI MF 397-1106<<硅棒電阻率測(cè)定兩探法>>
參數(shù) 資料
1.電阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm
2.電 阻：10^-7～2×10^7Ω
3.電導(dǎo)率：5×10^-7～10^7s/cm
4.分辨率： 0.1μΩ 測(cè)量±（0.05%讀數(shù)±5字）
5.測(cè)量電壓量程： 2mV 20mV 200mV 2V 測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）
6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
7.電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續(xù)可調(diào)，
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA, ：±0.2%讀數(shù)±2字
8.顯示方式：液晶顯示：電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、單位自動(dòng)換算、橫截面、高度、電流、電壓等.
9.溫度要求：23℃±1℃
10.電源：220±10% 50HZ/60HZ
11. 測(cè)量平臺(tái)參數(shù)如下：
1）.可測(cè)硅芯、檢驗(yàn)棒尺寸：直徑4~22㎜ （其他規(guī)格可定制）
2）.探頭探與試樣接觸位置重復(fù)，無(wú)橫向移動(dòng)。
3）.兩探測(cè)試探。探頭間距1.59mm（其他規(guī)格可定制）；探機(jī)械游率：±0.3%。
4）.探直徑0.8㎜；探壓力總6-12N，探材料：鎢，
5）.探間及探與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐
12.標(biāo)配外選購(gòu)項(xiàng)：a.pc軟件1套；b.標(biāo)準(zhǔn)電阻1件；c.電腦和
參照標(biāo)準(zhǔn)：
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法-方法2直流兩探法；
SEMI MF 397-1106<<硅棒電阻率測(cè)定兩探法>>
參數(shù) 資料
1.電阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm
2.電 阻：10^-7～2×10^7Ω
3.電導(dǎo)率：5×10^-7～10^7s/cm
4.分辨率： 0.1μΩ 測(cè)量±（0.05%讀數(shù)±5字）
5.測(cè)量電壓量程： 2mV 20mV 200mV 2V 測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）
6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
7.電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續(xù)可調(diào)，
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA, ：±0.2%讀數(shù)±2字
8.顯示方式：液晶顯示：電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、單位自動(dòng)換算、橫截面、高度、電流、電壓等.
9.溫度要求：23℃±1℃
10.電源：220±10% 50HZ/60HZ
11. 測(cè)量平臺(tái)參數(shù)如下：電阻率測(cè)試儀電阻率測(cè)試儀電阻率測(cè)試儀電阻率測(cè)試儀
1）.可測(cè)硅芯、檢驗(yàn)棒尺寸：直徑4~22㎜ （其他規(guī)格可定制）
2）.探頭探與試樣接觸位置重復(fù)，無(wú)橫向移動(dòng)。
3）.兩探測(cè)試探。探頭間距1.59mm（其他規(guī)格可定制）；探機(jī)械游率：±0.3%。
4）.探直徑0.8㎜；探壓力總6-12N，探材料：鎢，
5）.探間及探與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐
12.標(biāo)配外選購(gòu)項(xiàng)：a.pc軟件1套；b.標(biāo)準(zhǔn)電阻1件；c.電腦和
