導(dǎo)電型號(hào)測(cè)試儀 型號(hào):CN61M-STY-1 庫(kù)號(hào)：D222266 

導(dǎo)電型號(hào)測(cè)試儀 型號(hào):CN61M-STY-1 庫(kù)號(hào)：D222266 

導(dǎo)電型號(hào)測(cè)試儀 型號(hào):CN61M-STY-1 庫(kù)號(hào)：D222266 

導(dǎo)電型號(hào)測(cè)試儀 型號(hào):CN61M-STY-1 庫(kù)號(hào)：D222266 

導(dǎo)電型號(hào)測(cè)試儀是嚴(yán)格按照SEMI MF42-1105、GB/T 1550-1997（非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法）中的熱探針?lè)ㄔO(shè)計(jì)的導(dǎo)電類型鑒別儀。

本儀器熱探筆內(nèi)裝有加熱和控溫組件，自動(dòng)加熱并使溫度維持在40-60℃范圍內(nèi)，冷熱探筆在半導(dǎo)體材料上產(chǎn)生的熱電動(dòng)勢(shì)，經(jīng)低噪聲、低漂移的集成運(yùn)算放大器放大后，用寬表面檢流計(jì)指示型號(hào)方向，并可定量測(cè)出熱電流的數(shù)值大小。儀器靈敏度可調(diào)，可在的電阻率（從高阻單晶到重?fù)絾尉В┓秶鷥?nèi)判別半導(dǎo)體材料型號(hào)。

參數(shù)

（1）可判別鍺、硅材料的電阻率范圍：

鍺：非本征鍺～10-4Ω·cm ，硅：103～10-4Ω·cm

實(shí)驗(yàn)證明：在室溫情況下，對(duì)于電阻率低于1000Ω·cm的N型和P型硅，本方法結(jié)果。

（2）熱電流測(cè)量范圍：0～±1μA 分六個(gè)量程：

±3nA、±10nA、±30nA、±100nA、±300nA、±1μA

大偏轉(zhuǎn)靈敏度：1×10-11A/格

（3）鍺、硅單晶直徑及長(zhǎng)度：不受限制。

（4）顯示方式：刻度為零位的寬表面指針指示器，指針向正方向偏轉(zhuǎn)被測(cè)樣品為P型，指針向負(fù)方向偏轉(zhuǎn)被測(cè)樣品為N型。

（5）探針：選用SEMI MF42-1105標(biāo)準(zhǔn)中建議的不銹鋼作探針材料，針尖為60°錐體，熱筆溫度自動(dòng)保持在40-60℃范圍內(nèi)，冷筆與室溫相同。

（6）電源及功耗：AC 220V±10%，50HZ交流供電，耗電小于10W。

（7）外型尺寸：170×160×230（mm）

（8）重量：約2.5kg

導(dǎo)電型號(hào)測(cè)試儀是嚴(yán)格按照SEMI MF42-1105、GB/T 1550-1997（非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法）中的熱探針?lè)ㄔO(shè)計(jì)的導(dǎo)電類型鑒別儀。

本儀器熱探筆內(nèi)裝有加熱和控溫組件，自動(dòng)加熱并使溫度維持在40-60℃范圍內(nèi)，冷熱探筆在半導(dǎo)體材料上產(chǎn)生的熱電動(dòng)勢(shì)，經(jīng)低噪聲、低漂移的集成運(yùn)算放大器放大后，用寬表面檢流計(jì)指示型號(hào)方向，并可定量測(cè)出熱電流的數(shù)值大小。儀器靈敏度可調(diào)，可在的電阻率（從高阻單晶到重?fù)絾尉В┓秶鷥?nèi)判別半導(dǎo)體材料型號(hào)。

參數(shù)

（1）可判別鍺、硅材料的電阻率范圍：

鍺：非本征鍺～10-4Ω·cm ，硅：103～10-4Ω·cm

實(shí)驗(yàn)證明：在室溫情況下，對(duì)于電阻率低于1000Ω·cm的N型和P型硅，本方法結(jié)果。

（2）熱電流測(cè)量范圍：0～±1μA 分六個(gè)量程：

±3nA、±10nA、±30nA、±100nA、±300nA、±1μA

大偏轉(zhuǎn)靈敏度：1×10-11A/格

（3）鍺、硅單晶直徑及長(zhǎng)度：不受限制。

（4）顯示方式：刻度為零位的寬表面指針指示器，指針向正方向偏轉(zhuǎn)被測(cè)樣品為P型，指針向負(fù)方向偏轉(zhuǎn)被測(cè)樣品為N型。

（5）探針：選用SEMI MF42-1105標(biāo)準(zhǔn)中建議的不銹鋼作探針材料，針尖為60°錐體，熱筆溫度自動(dòng)保持在40-60℃范圍內(nèi)，冷筆與室溫相同。

（6）電源及功耗：AC 220V±10%，50HZ交流供電，耗電小于10W。

（7）外型尺寸：170×160×230（mm）

（8）重量：約2.5kg