H-1低頻電磁輻射場(chǎng)強(qiáng)分析儀（189.3-2018）  產(chǎn)品介紹：

H-1 型低頻電磁場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試儀，依據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研制開發(fā)，滿足國(guó)家職業(yè)衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)（GBZ/T189.3-2018）《工作場(chǎng)所物理因素測(cè)量第 3 部分，1Hz~100KHz 電場(chǎng)和磁場(chǎng)》等相關(guān)測(cè)試要求。

儀器基本原理及組成

儀器配有一個(gè)各項(xiàng)同性電場(chǎng)測(cè)試探頭，具有全向探測(cè)功能，測(cè)試頻率范圍寬，動(dòng)態(tài)范圍大的特點(diǎn)、均方根值顯示；利用數(shù)據(jù)采集、處理、顯示和校準(zhǔn)技術(shù)，確保了儀器讀數(shù)清晰、準(zhǔn)確；功能完善，性能穩(wěn)定可靠，適用于危害電磁輻射場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試。H-1 型低頻電磁場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試儀由三維電場(chǎng)探頭、數(shù)據(jù)采集及處理、顯示等部分組成。

H-1低頻電磁輻射場(chǎng)強(qiáng)分析儀（189.3-2018）    技術(shù)參數(shù)

1、測(cè)試頻率范圍：1Hz-100KHz；

2、電場(chǎng)測(cè)試范圍：10V/m-50kv/m

3、頻響誤差：±3dB

4、各向同性誤差：±1dB

5、測(cè)試誤差：±1dB

H-1低頻電磁輻射場(chǎng)強(qiáng)分析儀（189.3-2018）  設(shè)備配置清單：

1.主機(jī)一臺(tái)

2.1Hz-100KHz 三維電場(chǎng)探頭一個(gè)

3.9V 充電電池 2 個(gè)，充電器一個(gè)

4.儀器使用說明書

5.儀器箱

H-1低頻電磁輻射場(chǎng)強(qiáng)分析儀（189.3-2018）  注意事項(xiàng)

1. 必須在測(cè)量?jī)x器關(guān)機(jī)狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)試探頭的連接或取下的操
作，帶電插、拔探頭可能導(dǎo)致儀器故障；
2. 探頭為全密封固定結(jié)構(gòu)，一旦損壞，無法修理；
3. 當(dāng)【k3】鍵為測(cè)量方式，測(cè)量值溢出時(shí)，儀器高位顯示“1”，
表明，此時(shí)的電磁場(chǎng)強(qiáng)值已超出本測(cè)試儀器的量程范圍，請(qǐng)盡
快將測(cè)量傳感器移出強(qiáng)電磁場(chǎng)區(qū)域；
4. 當(dāng)儀器顯示屏左下角出現(xiàn)“-”低電壓顯示時(shí)，應(yīng)關(guān)機(jī)更換電
池。將儀器背面電池盒蓋板的固定螺釘擰下，取下盒蓋可更換
9V 電池；
5. 儀器長(zhǎng)時(shí)間不用時(shí)，應(yīng)取出機(jī)內(nèi)電池。
6. 探頭不得受力變形、摔打或重物撞擊。
6. 測(cè)試完成后，將儀器及探頭收入儀器箱，并依序放置妥當(dāng)。

操作步驟：

儀器使用操作分別由【k1】、【k2】、【k3】鍵完成。具體操作方法

如下：

1. 按下【k1】鍵，儀器開機(jī)，顯示屏顯示 H-1，及出廠日期，進(jìn)

入工作狀態(tài)；

2. 利 用 【 k2 】 鍵 選 擇 工 頻 （ 1Hz~100Hz ） 還 是 低 頻 測(cè) 量

（100Hz~100KHz）；

3. 當(dāng)測(cè)試探頭鎖定，測(cè)試狀態(tài)選擇工頻還是低頻操作完成后，利

用【k3】鍵完成校零，即進(jìn)入測(cè)試狀態(tài)。

4. 儀器校零操作

測(cè)試參數(shù)選擇完成后，即可進(jìn)入正常測(cè)試，此時(shí)若 LCD 屏顯

示值沒有歸零，則利用【k3】健進(jìn)行校零，釋放【k3】健為校零

狀態(tài)，顯示為“-E-”，按下【k3】健為校零完成，此校零操作可

反復(fù)進(jìn)行，直至滿意。然后將探頭移至預(yù)先選定的測(cè)試部位，進(jìn)

行測(cè)量。

5. 注意：校零時(shí)探頭應(yīng)盡量遠(yuǎn)離電磁輻射源或?qū)⑻筋^置于電磁屏

蔽罩中，以確保測(cè)試數(shù)據(jù)的有效性和準(zhǔn)確性。