漏電微光顯微鏡分析儀emmi芯片失效分析半導體測試 漏電微光顯微鏡分析儀emmi芯片
主要用途 當氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應時，產生了過量的電子和空穴結合并產生躍遷光子，由探測器通過顯微鏡收集這些光子并地定位出其位置，通常這個位置就是存在異常的缺陷位置。 性能參數 a)InGaAs檢測器，分辨率：320*256 像素； b)偵測波長范圍900nm - 1700nm c)像素尺寸：30um x 30um d)曝光時間 20ms - 400s e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x f)Back side EMMI 應用范圍 1.P-N接面漏電 2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 3.P-N接面崩潰 4.閂鎖效應 5.氧化層漏電流產生的光子激發(fā) 漏電微光顯微鏡分析儀emmi芯片
漏電微光顯微鏡分析儀emmi芯片 |
儀準科技（北京）有限公司
免企業(yè)未認證證營業(yè)執(zhí)照已上傳
掃一掃
進入手機店鋪
