半導(dǎo)體立器件測(cè)試儀C2935半導(dǎo)體分力器件測(cè)試儀 型號(hào):VV522-CS2935

半導(dǎo)體分力器件測(cè)試儀 型號(hào):VV522-CS2935

一、產(chǎn)品特點(diǎn)：

測(cè)試品種覆蓋面廣、測(cè)試高、電參數(shù)測(cè)試、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定，具有保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件的能力。測(cè)試儀由計(jì)算機(jī)操控，測(cè)試可存儲(chǔ)打印。除具有點(diǎn)測(cè)試功能外，還具有曲線掃描功能（圖示儀功能）。系統(tǒng)軟件功能、使用靈活方便、操作簡(jiǎn)單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定、硬件故障率低，在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指均可達(dá)到器件手冊(cè)技術(shù)指及國(guó)要求。

二、測(cè)試參數(shù)

1． 二極管

VF、IR、BVR

2． 穩(wěn)壓（齊納）二極管

VF、IR、BV Z

3． 晶體管 Transistor（NPN型/PNP型）

VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCEAT、VBEAT 、VBEON

4． 可控硅整流器（晶閘管）

IGT、VGT、 IH、IL 、VTM

5． 場(chǎng)效應(yīng)管

IGEF、IGF、 IGR、IG、VDON、RDON、VGTH、ID、IDON 、gF、 BVDGO、BVG

6． 光電耦合器

VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCEAT

*7．三端穩(wěn)壓器

VO、V、ID、IDV

被測(cè)器件圖形

三、測(cè)試參數(shù)范

晶體管

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范

ICEO

ICBO

IEBO

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

VBE(sat)

0.10V-30V

VBE(VBE(on))

0.10V-30V

hFE

1－99999

V(BR)EBO

0.10V-30V

V(BR)CEO

V(BR)CBO

0. 10V-50V

50V-1499V

二極管

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

V(BR)

1V-50V

50V-1499V

穩(wěn)壓二極管

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

VZ

0.10V-50V

三端穩(wěn)壓器

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范

VO

0.10V-30V

V

0.10mV-1V

ID

1uA-10mA

IDV

1uA-10mA

MOFET

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范

VG(th)

0.10V-30V

gfs

0.1m-1000

RD(on)

10mΩ-100KΩ

VD(on)

0.10V-50V

IG

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

ID

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

ID(on)

0-50A

V(BR)G

0.1V-30V

V(BR)D

0.1V-1499V

光耦

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范

VF

0.10V-30V

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

0.10V-50V

CTR

0.1%-1000%

ICEO

與IR參數(shù)相同

V(BR)ECO V(BR)CEO

0.10V-50V

50V-1499V

可控硅

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范

IGT

10uA-200mA

VGT

0.10V-30V

IH

10uA-1A

IL

10uA-1A

VTM

0.10V-50V

四、技術(shù)指

1、源的指

主極壓流源 (VA)

電壓：

設(shè)定范（V）

度

±(0~10)

±(14.6mV+0.5%set)

±(10~50)

±(73.2mV+0.5%set)

電流：

測(cè)量范

度

±(0-50)uA

±(244nA+0.5% set)

±(50-500) uA

±(2.44uA+0.5% set)

±(0.5-5) mA

±(24.4uA+0.5% set)

±(5-50) mA

±(244uA+0.5% set)

±(50~500) mA

±(2.44mA+0.5%set)

±(0.5~5)A（脈沖）

±(24.4mA+0.5%set)

±(5-50)A（脈沖）

±(244mA+0.5%set)

壓流源 (VB)

電壓：

設(shè)定范（V）

度

±(0~10)

±(14.6mV+0.5%set)

±(10~30)

±(43.8mV+0.5%set)

電流：

測(cè)量范

度

±(0-50)uA

±(244nA+0.5% set)

±(50-500) uA

±(2.44uA+0.5% set)

±(0.5-5) mA

±(24.4uA+0.5% set)

±(5-50) mA

±(244uA+0.5% set)

±(50~500) mA

±(2.44mA+0.5%set)

±(0.5~5)A（脈沖）

±(24.4mA+0.5%set)

±(5-50)A（脈沖）

±(244mA+0.5%set)

高壓源（HV）

設(shè)定范（V）

度

0~1500

±(1.22V+1%set)

*1500V時(shí)大輸出為5mA。

2、電壓表的指

測(cè)漏電流

測(cè)量范

度

±(0~200)nA

±(2.44nA+0.5% Rdg)

±(0.2-2)uA

±(24.4nA+0.5% Rdg)

±(2-20)uA

±(244nA+0.5% Rdg)

±(20~200) uA

±(2.44uA+0.5% Rdg)

±(0.2~2)mA

±(24.4uA+0.5% Rdg)

±(2-20)mA

±(244uA+0.5% Rdg)

測(cè)試電壓

設(shè)定范（V）

度

±(0~10)

±(3mV+0.5% Rdg)

±(10~50)

±(15mV+0.5% Rdg)

測(cè)擊穿電壓

設(shè)定范（V）

度

（0~50）V/10mA

±(36.6mV+0.25% Rdg)

（50~1500）V/1mA

±(610.3mV+1% Rdg)

放大倍數(shù)

設(shè)定范（V）

度

1~9999

1%

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