本公司是紅外發(fā)射管、光敏接收管、可見(jiàn)光LED為主，集開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷售全系列發(fā)光二管為一體的生產(chǎn)廠，公司主要技術(shù)人員擁有近十年ＬＥＤ封裝與開(kāi)發(fā)技術(shù)能力，公司生產(chǎn)的紅外燈系列一直處于行業(yè)的，與國(guó)內(nèi)外企業(yè)有著密切合作，并不斷開(kāi)發(fā)改進(jìn)，將更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品提供給國(guó)內(nèi)外客戶使用。
公司均采用國(guó)內(nèi)外的自動(dòng)化設(shè)備生產(chǎn)，大大產(chǎn)品品質(zhì)以及生產(chǎn)產(chǎn)能；公司通過(guò)ISO9001質(zhì)量體系，產(chǎn)品經(jīng)過(guò)，合ROHS要求，能夠滿足客戶對(duì)產(chǎn)品的要求。
本公司的紅外燈電性穩(wěn)定、輻射強(qiáng)度高、品種、，廣泛應(yīng)用于紅外系統(tǒng)（紅外攝像頭、紅外相機(jī)、行車記錄儀等）、嬰兒器及紅外控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。
產(chǎn)品按波長(zhǎng)主要分為940、850NM兩種，其中850在工作時(shí)有紅爆點(diǎn)，940是看不到紅爆點(diǎn)的，但940的輻射強(qiáng)度在相同工作電流的情況下只有同規(guī)格85強(qiáng)度的1/2到1/3左右，故在遠(yuǎn)距離是一般是采用850做紅外光源，在隱蔽性要求較高的情況下一般是膠體顏色改變或采用940做光源
本公司生產(chǎn)的紅外發(fā)射管芯片分為鼎元及光磊兩種，適用于中產(chǎn)品的需求
940紅外燈電壓：1.1~1.35V@50ma，每0.1V一檔 漏電流控制在5V 5uA以內(nèi)
850紅外燈電壓：1.35-1.55V@50ma,每0.1V一檔 漏電流控制在5V 5uA以內(nèi)
直插式紅外燈常規(guī)尺寸有 φ3、 φ4、 φ5、φ8φ10，亦可亦要求訂制異型規(guī)格
發(fā)射距離：8~80M，依客戶要求選擇，工作電流越大，角度越小的情況下發(fā)射距離會(huì)越遠(yuǎn)
LED膠體顏色可依要求配制：一般有水透明、藍(lán)透明、黑膠體、有色擴(kuò)散等
發(fā)射角度需客戶要求調(diào)整：有10º、20º、30º、40º.....120º均可定做，在近距離情況下一般使用角度大一些的紅外燈，遠(yuǎn)距離時(shí)才用到小角度的紅外燈
紅外燈的工作電流主要由內(nèi)部芯片的大小決定，工作電流越大其輻射強(qiáng)度會(huì)越大，其亮度也會(huì)增加，本公司常規(guī)芯片有10mil 12mil 14mil 16mil,工作電流分別為30ma 60ma 80m，120ma；其耗散功率分別為60MW、100MW、150MW、200MW。
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)（固定限額定參數(shù)）
Parameter | Symbol | Rating | Unit |
Peak Forward Current（峰值電流） | IFP | 1 | A |
Reverse Voltage（反向電壓） | VR | 5 | V |
Operating Temperature（工作溫度） | Topr | -40 ~ +85 | ℃ |
Storage Temperature（貯存溫度） | Tstg | -40 ~ +85 | ℃ |
Soldering Temperature（焊接溫度） | Tsol | 260 | ℃ |
Notes:
1. IFP Conditions--Pulse Width≦100μs and Duty≦1%.（峰值電流條件，脈沖寬度≦100μs and Duty≦1%）
2. Soldering time≦5 second@260℃.（焊接條件，小于5秒@260℃）
如有需求請(qǐng)聯(lián)系-8018,59興輝光電宋先生
,興輝光電張先生
所用芯片：臺(tái)灣鼎元12MIL芯片
我司生產(chǎn)的850紅外發(fā)射管均采用臺(tái)灣鼎元等大廠的芯片，成品具有發(fā)射距離遠(yuǎn)，一致性好，品質(zhì)穩(wěn)定，壽命的特點(diǎn)！并且鄭重：如發(fā)現(xiàn)我司芯片為假，十！
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)
Parameter | Symbol | Rating | Unit |
Continuous Forward Current | IF | 50 | mA |
Peak Forward Current | IFP | 1 | A |
Reverse Voltage | VR | 5 | V |
Operating Temperature | Topr | -40 ~ +85 | ℃ |
Storage Temperature | Tstg | -40 ~ +85 | ℃ |
Soldering Temperature | Tsol | 260 | ℃ |
Power Dissipation at25℃Free Air Temperature | Pd | 100 | mW |
Notes:*1:IFPConditions--Pulse Width≦100μs and Duty≦1%.
*2:Soldering time≦5 seconds.
Electro-Optical Characteristics (Ta=25℃)
Parameter | Symbol | Condition | Min | T | Max | Unit |
Radiant Intensity | IE | IF=20mA | 7.8 | 15 | -- | mW/sr |
Radiant Intensity | IE | IF=100mA Pulse Width≦100μs ,Duty≦1% | -- | 140 | -- | mW/sr |
Radiant Intensity | IE | IF=1A Pulse Width≦100μs ,Duty≦1% | -- | 950 | -- | mW/sr |
Peak Welength | λp | IF=20mA | -- | 850 | -- | nm |
Spectrial Bandwidth | Δλ | IF=20mA | -- | 45 | -- | nm |
Forward | VF | IF=20mA |
| 1.45 | 1.65 | V |
Forward | VF | IF=100mA Pulse Width≦100μs ,Duty≦1% | -- | 1.8 | 2.40 | V |
Forward Voltage | VF | IF=1A Pulse Width≦100μs ,Duty≦1% | -- | 4.1 | 5.25 | V |
Reverse Current | IR | VR=5V | -- | -- | 5 | μA |
View Angle | 2θ1/2 | IF=20mA | -- | 100 | -- | deg |
