陶瓷電容基本參數(shù)
4.1.一類瓷:也叫做溫度補(bǔ)償型(Temperature Compensating Te),是專門設(shè)計(jì)并用在低損耗、電容量穩(wěn)定性高或要求溫度系數(shù)有明確規(guī)定的諧振電路中的一種電容器,例如,在電路中作溫度補(bǔ)償之用。該類陶瓷介質(zhì)是由標(biāo)稱溫度系數(shù)(α)來確定。其溫度系數(shù)有:NP0、N150、N220、N470、N750、SL等。
4.2.二類瓷:也叫做高介電常數(shù)型(High Dielectric Constant Te),是適用于作旁路、耦合或用在對(duì)損耗和電容量穩(wěn)定性要求不高的電路中的具有高介電常數(shù)的一種電容器。該類陶瓷介質(zhì)是以在類別溫度范圍內(nèi)電容量非線性變化來表征。其溫度特性有:Y5P、X7R、Z5U、Y5V等。
4.3.三類瓷:也叫做半導(dǎo)體型(Semiconductor Te),是一種具有半導(dǎo)體特征的陶瓷電容器。該類電容器適用于作旁路和耦合之用。該類陶瓷介質(zhì)是以在類別溫度范圍內(nèi)電容量非線性變化來表征。其溫度特性有:Y5P、Y5R、Y5U、Y5V等。
4.4.電容量(minal Capacitance,簡(jiǎn)寫為Cap.或C或CR):是指電容器設(shè)計(jì)所確定的和通常在電容器上所標(biāo)出的電容量值;其單位為法拉(Farad,簡(jiǎn)寫F),由于F太大,故常用微法(UF)、微微法拉(PF),其等式為:
1UF=103NF=106PF=10-6F
4.5.容量誤差(Tolerance,簡(jiǎn)寫成Tol.):是指在設(shè)計(jì)與制造過程時(shí),允許電容器的容量在標(biāo)稱容量的某一些范圍內(nèi)。在國(guó)際上,圓板陶瓷電容器常用的幾種誤差值如下:
CR<10pF:&plun;0.25PF;&plun;0.5PF。
CR≥10pF:&plun;5%;&plun;10%;&plun;20%與+80/-20%。
4.6.額定電壓(Rated Voltage,簡(jiǎn)寫成R.V.或UR):也稱之為工作電壓(Working Voltage),是指在下限類別溫度和額定溫度之間的任一溫度下,可以連續(xù)施加在電容器上的直流電壓或交流電壓值或脈沖電壓的峰值。
本承認(rèn)書所講述之電壓均為直流電壓,除非有注明。
貴公司若在使用或測(cè)試中有應(yīng)用到交流電壓時(shí),請(qǐng)事先通知我公司業(yè)務(wù)部或品管部。
4.7.耐電壓:也叫試驗(yàn)電壓(Tt Voltage,簡(jiǎn)寫成T.V.),它是以額定電壓的幾倍,加壓多少時(shí)間來表示供試驗(yàn)電容的耐電壓的高低。
4.8.損耗角正切:也叫做散逸因素(Dissipation Factor,簡(jiǎn)寫成D.F.或tanδ,簡(jiǎn)稱損耗);是指在規(guī)定頻率的正弦電壓下,電容器的損耗功率除以電容器的無功功率。損耗的倒數(shù)稱之為品質(zhì)因素,即Q值(英文名為Q Value,簡(jiǎn)寫為Q)
4.9.溫度特性(Temperature Characteristic,簡(jiǎn)寫成T.C.):是指在規(guī)定溫度范圍內(nèi),所出現(xiàn)的電容量可逆變化,一般此變化表示為相對(duì)25℃時(shí)電容量的百分比。
電容量的溫度系數(shù)英文為Temperature Coefficient of Capacitance;是指在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)測(cè)量的電容量隨溫度的變化率,通常用10-6/℃或ppm/℃來表示。
電容量溫度循環(huán)漂移英文為Temperature Cyclic Drift of Capacitance;是指在規(guī)定的溫度循環(huán)次數(shù)完成期間或結(jié)束之后,在室溫下所觀測(cè)到的電容量的不可逆變化,這種不可逆變化通常是用與基準(zhǔn)溫度有關(guān)的電容量的百分比,基準(zhǔn)溫度通常是25℃。
4.10.類別溫度范圍:是指電容器在設(shè)計(jì)時(shí)所確定的能連續(xù)工作的環(huán)境溫度范圍,這里規(guī)定上限類別溫度和下限類別溫度,如下表:
類別 | 一類瓷 | 二、三類瓷 |
下限類別溫度 | -25℃ | X:-55℃;Y:-25℃;Z:+10℃ (X、Y及Z均為各溫度特性前碼) |
上限類別溫度 | +85℃ | 5:+85℃;7:+125℃ (5和7為各溫度特性前第二碼) |
2.試驗(yàn)和測(cè)量環(huán)境要求
5.1.試驗(yàn)狀態(tài)
5.1.1.試驗(yàn)狀態(tài)定義:
a> 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):是指溫度15~35℃、相對(duì)溫度45~85%、氣壓860~1060mbar。
b> 判定狀態(tài):是指溫度25&plun;2℃,相對(duì)濕度60~70%,氣壓860~1060mbar。
c> 基準(zhǔn)狀態(tài):是指溫度25℃,相對(duì)濕度65%,氣壓1013mbar。
5.1.2.試驗(yàn)及測(cè)定環(huán)境要求:
無規(guī)定時(shí),在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)或判定狀態(tài)下進(jìn)行試驗(yàn)及測(cè)定。但如對(duì)標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)或判定狀態(tài)之測(cè)定值,一旦判定有疑問或在被要求之情形下,則須在基準(zhǔn)狀態(tài)下進(jìn)行。
在基準(zhǔn)狀態(tài)測(cè)定或試驗(yàn)有困難時(shí),或在不產(chǎn)生判定疑問之前提下,在基準(zhǔn)狀態(tài)以外的狀態(tài)下做試驗(yàn)與測(cè)定亦可。
5.1.3.注意事項(xiàng):
a> 在試驗(yàn)及測(cè)定時(shí),可以在以上三種狀態(tài)規(guī)定的任一種溫度下測(cè)量,相對(duì)濕度與氣壓均可為常濕(45~85%)與常壓(860~1060mbar);但若對(duì)試驗(yàn)與測(cè)定值有要求時(shí)則須在基測(cè)狀態(tài)指定的溫度下進(jìn)行。
b> 在整個(gè)試驗(yàn)過程的前后,對(duì)于供試驗(yàn)電容器的測(cè)定有影響之日光或其它熱源幅射等因素,均要避免之。
c> 在整個(gè)試驗(yàn)及測(cè)定過程中,為使試驗(yàn)結(jié)果不致發(fā)生疑問,有須時(shí),應(yīng)對(duì)供試驗(yàn)電容器置于測(cè)量溫度內(nèi)30分鐘以上,并使之充分放電。
瓷片電容
一、特點(diǎn)
●尺寸小、耐壓可高可低。
●環(huán)氧樹脂包封或灌封,良好的潮性、阻燃性。
●介質(zhì)損耗低、頻率特性優(yōu)良。
二、用途
●主要用于高壓直流電源電路,如激光機(jī)、X光機(jī)、加速器、空氣清新機(jī)等。
●彩電、彩顯的聚焦輸出電路,使圖像全屏幕聚焦優(yōu)良。
●用于電焊機(jī)及靜電噴涂設(shè)備。
三、技術(shù)指標(biāo)(SPECIFICATIONS)
電容量(capacitance) | 18pF~33000pF |
電容量允許偏差(capacitance tolerance) | K(&plun;10%),M(&plun;20%),Z(+80%-20%) |
使用溫度(operating temperature) |
|
溫度特性(temperature characteristic) | Y5P,Y5U,Y5V,SL,BN,Y5R |
額定電壓(rated voltage) | 16V,25V,50V,100V,1KVDC,2KVDC,3KVDC |
損耗角正切值(dissipation factor)(tgδ) | Y5P、Y5U、Y5V: tgδ≤2.0% |
緣電阻(insulation ristance)(IR) | IR≥10000MΩ @ 25℃,500VDC |
耐電壓(voltage proof) | 1.5Ur+500 |
測(cè)試電壓(tting voltage) | 2 tim the rated voltage or 1.5 tim |
封裝(encapsulation) | 1KV:酚醛樹脂 |