用于測量各種高壓電力設(shè)備的介質(zhì)損耗(tgδ)及電容量(Cx)。替代QSI型電橋。
主要特點(diǎn):內(nèi)附PT和高壓標(biāo)準(zhǔn)電容使接線簡單。
采用光電耦合數(shù)據(jù)采樣測試原理,將矢量運(yùn)算與移相、倒相法相結(jié)合,能強(qiáng)力地消除電場干擾?,F(xiàn)場適用和適應(yīng)能力強(qiáng)。在同類型產(chǎn)品中,性能,價格實(shí)在。
主要技術(shù)指標(biāo):
高壓輸出:2kV、5kV、10kV
PT容量:1kVA
量程:tgδ<50%30pF<Cx<60000pF
介損測量范圍:0.1~100%
分辨率:tgδ:0.01%Cx:0.1pF
準(zhǔn)確度:tgδ1%±0.05%電容C1%