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TURCK流量開(kāi)關(guān),F(xiàn)CT-G1/2A4P-AP8X-H1141?24VDC
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TURCK流量開(kāi)關(guān),F(xiàn)CT-G1/2A4P-AP8X-H1141?24VDC

產(chǎn)品價(jià)格:
電議
產(chǎn)品型號(hào):
-
供應(yīng)商等級(jí):
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經(jīng)營(yíng)模式:
貿(mào)易商
企業(yè)名稱(chēng):
上海乾拓貿(mào)易有限公司
所屬地區(qū):
上海市
發(fā)布時(shí)間:
2014/2/25 11:46:22

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TURCK流量開(kāi)關(guān),F(xiàn)CT-G1/2A4P-AP8X-H1141 24VDC
TURCK流量開(kāi)關(guān)在穩(wěn)態(tài)工作情況下輸出量變化△y對(duì)輸入量變化△x的比值。
它是輸出一輸入特性曲線的斜率。如果傳感器的輸出和輸入之間顯線性關(guān)系,則靈敏度S是一個(gè)常數(shù)。否則,它將隨輸入量的變化而變化。
靈敏度的量綱是輸出、輸入量的量綱之比。例如,某位移傳感器,在位移變化1mm時(shí),輸出電壓變化為200mV,則其靈敏度應(yīng)表示為200mV/mm。
當(dāng)傳感器的輸出、輸入量的量綱相同時(shí),靈敏度可理解為放大倍數(shù)。提高靈敏度,可得到較高的測(cè)量。但靈敏度愈高,測(cè)量范圍愈窄,穩(wěn)定性也往往愈差。分辨率是指?jìng)鞲衅骺筛惺艿降谋粶y(cè)量的小變化的能力。也就是說(shuō),如果輸入量從某一非零值緩慢地變化。當(dāng)輸入變化值未超過(guò)某一數(shù)值時(shí),傳感器的輸出不會(huì)發(fā)生變化,即傳感器對(duì)此輸入量的變化是分辨不出來(lái)的。只有當(dāng)輸入量的變化超過(guò)分辨率時(shí),其輸出才會(huì)發(fā)生變化。
而垂直于薄膜平面時(shí),靈敏度小。此特性可用來(lái)檢測(cè)外加磁場(chǎng)大小和方向,如磁性編碼器。
?0?23、飽和特性,磁阻元件阻值隨外加磁場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加,
當(dāng)外加磁場(chǎng)強(qiáng)度大于飽和磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí),其阻值不再增加并達(dá)到飽和,利用該特性檢測(cè)磁場(chǎng)方向的變化,如0PS導(dǎo)航系統(tǒng)、地磁場(chǎng)角度的變化等。
?0?2薄膜磁阻電流傳感器的電流輸入檢測(cè)端和信號(hào)輸出端隔離,無(wú)任何電聯(lián)系,具有靈敏度高、線性度優(yōu)良、結(jié)構(gòu)閹單、體積小、雙列直括IC封裝等特點(diǎn)。簿膜磁阻電流傳感器特別適用于電度表、儀器儀表、充電器和UPS電源系統(tǒng)等電流檢測(cè)和控制,具高、線性好、便于小型化。磁阻電流傳感器,可用于大功率器件1GBT過(guò)載和短路的保護(hù),具反應(yīng)快,溫度特性好等優(yōu)點(diǎn)。
傳感器中的電阻應(yīng)變片具有金屬的應(yīng)變效應(yīng),即在外力作用下產(chǎn)生機(jī)械形變,從而使電阻值隨之發(fā)生相應(yīng)的變化。電阻應(yīng)變片主要有金屬和半導(dǎo)體兩類(lèi),金屬應(yīng)變片有金屬絲式、箔式、薄膜式之分。半導(dǎo)體應(yīng)變片具有靈敏度高(通常是絲式、箔式的幾十倍)、橫向效應(yīng)小等優(yōu)點(diǎn)。
  壓阻式傳感器是根據(jù)半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)在半導(dǎo)體材料的基片上經(jīng)擴(kuò)散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測(cè)量傳感元件,擴(kuò)散電阻在基片內(nèi)接成電橋形式。當(dāng)基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時(shí),各電阻值將發(fā)生變化,電橋就會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的不平衡輸出。
  用作壓阻式傳感器的基片(或稱(chēng)膜片)材料主要為硅片和鍺片,硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來(lái)越受到人們的重視,尤其是以測(cè)量壓力和速度的固態(tài)壓阻式傳感器應(yīng)用為普遍。
  熱電阻測(cè)溫是基于金屬導(dǎo)體的電阻值隨溫度的增加而增加這一特性來(lái)進(jìn)行溫度測(cè)量的。熱電阻大都由純金屬材料制成,目前應(yīng)用多的是鉑和銅,此外,已開(kāi)始采用鎳、錳和銠等材料制造熱電阻。

 

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