光伏/科研通用兩種應(yīng)用選擇
　　HG-EM激光橢偏儀是針對光伏太陽能電池高端研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的型多入射角激光橢偏儀?？蓮V泛應(yīng)用于晶體硅太陽電池、薄膜太陽電池等。
　　HG-EM激光橢偏儀用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面減反膜鍍層的厚度以及在632.8nm下的折射率n.也可測量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系數(shù)k.典型納米膜層包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等。應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體、微電子、平板顯示等。
　　
　　HG-EM激光橢偏儀融合多項(xiàng)科技技術(shù)，采用一體化樣品臺技術(shù)，兼容測量單晶和多晶太陽電池樣品，并實(shí)現(xiàn)二者的輕松轉(zhuǎn)換。一鍵式多線程操作軟件，使得儀器操作簡單。
　　特點(diǎn)：
　??？  粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測量
　　？  原子層量級的高靈敏度和準(zhǔn)確度
　??？  百毫秒量級的快速測量
　?。? 簡單方便的儀器操作
　??？  一鍵式操作
　　技術(shù)指標(biāo)：
　　項(xiàng)目  技術(shù)指標(biāo)
　　儀器型號  HG-EM激光橢偏儀
　　激光波長  632.8nm（He-Ne　Laser）
　　膜層厚度（1）  0.01nm（對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層）
　　  0.03nm（對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層）
　　折射率（1）  1x10-4（對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層）
　　  3x10-4（對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層）
　　單次測量時間  與測量設(shè)置相關(guān)，典型0.6s
　　結(jié)構(gòu)  PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有高的準(zhǔn)確度）
　　激光光束直徑  1mm
　　入射角度  40°-90°可手動調(diào)節(jié)，步進(jìn)5°
　　樣品方位調(diào)整  一體化樣品臺輕松變換可測量單晶或多晶樣品；
　　  可測量156*156mm電池樣品上每個點(diǎn)
　　  Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm
　　  二維俯仰調(diào)節(jié)：±4°
　　  樣品對準(zhǔn)：光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對準(zhǔn)系統(tǒng)
　　樣品臺尺寸  平面樣品直徑可達(dá)Φ170mm
　　  兼容125*125mm和156*156mm的太陽能電池樣品
　　的膜層測量范圍  粗糙表面樣品：與絨面物理結(jié)構(gòu)及材料性質(zhì)相關(guān)
　　  光滑平面樣品：透明薄膜可達(dá)4000nm，吸收薄膜與材料性質(zhì)相關(guān)
　　外形尺寸（長x寬x高）  887　x　332　x　552mm（入射角為90o時）
　　儀器重量（凈重）  25Kg
　　選配件  水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺
　　  真空吸附泵
　　軟件  
　　  ？中英文界面可選
　　  ？太陽能電池樣品預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用
　　  ？單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合
　　  ？方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出
　　  ？豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持
　　注：（1）：是指對標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測量30次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。