- 品牌/商標：MYCRO
- 企業(yè)類型：貿易商
- 新舊程度：全新
- 原產地：美國
RTP系列的快速退火爐由德國Unitemp公司開發(fā)制造，德國工藝保障。
溫度均勻度≤1%?？梢蕴幚淼某叽缈梢赃_到300mm，厚度可以支持到11mm，溫度可以達到1200攝氏度，處理過程可以在真空環(huán)境或者惰性氣體的環(huán)境中執(zhí)行，多可知支持4路進氣，可以用到的氣體包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。
基于PID處理控制器的Eurotherm可以存儲20套程序，每套程序可以支持高達100個步驟的設定，帶USB2.0的接口。
包含UniSoft 軟件，與微軟Windows操作系統(tǒng)兼容。通過該軟件，可以通過外帶電腦（電腦不包含在報價中）可以非常方便地實現(xiàn)程序編輯以及數(shù)據(jù)記錄
該系列的退火爐主要包含如下三款型號：
1） RTP-100
基片從前面載入/取出；
可支持的尺寸：直徑為100mm的Wafer或者100mm×100mm的基片；
溫度高達1200攝氏度；
升溫速率為150K/sec；
降溫速率分段控制：從1200℃到400℃，降溫速率優(yōu)于200K/sec。從400℃到100℃降溫速率控制在30K/sec；
2） RTP-150
基片從前面載入/取出；
可支持的尺寸：直徑為150mm的Wafer或者150mm×150mm的基片；
溫度高達1000攝氏度；
升溫速率為75K/sec；
降溫速率分段控制：從1000℃到400℃，降溫速率優(yōu)于200K/sec。從400℃到100℃降溫速率控制在30K/sec；
3）VPO-1000-300
也可以用于污染物處理；
基片從上面載入/取出；
可支持的尺寸：直徑為300mm的Wafer或者300mm×300mm的基片；
溫度高達1000攝氏度；
升溫速率為40K/sec；
降溫速率分段控制：從1000℃到400℃，降溫速率優(yōu)于200K/sec。從400℃到100℃降溫速率控制在30K/sec；
需要更詳細的平板硫化機的資料咨詢，
請與邁可諾技術有限公司 中國營銷服務中心聯(lián)系
溫度均勻度≤1%?？梢蕴幚淼某叽缈梢赃_到300mm，厚度可以支持到11mm，溫度可以達到1200攝氏度，處理過程可以在真空環(huán)境或者惰性氣體的環(huán)境中執(zhí)行，多可知支持4路進氣，可以用到的氣體包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。
基于PID處理控制器的Eurotherm可以存儲20套程序，每套程序可以支持高達100個步驟的設定，帶USB2.0的接口。
包含UniSoft 軟件，與微軟Windows操作系統(tǒng)兼容。通過該軟件，可以通過外帶電腦（電腦不包含在報價中）可以非常方便地實現(xiàn)程序編輯以及數(shù)據(jù)記錄
該系列的退火爐主要包含如下三款型號：
1） RTP-100
基片從前面載入/取出；
可支持的尺寸：直徑為100mm的Wafer或者100mm×100mm的基片；
溫度高達1200攝氏度；
升溫速率為150K/sec；
降溫速率分段控制：從1200℃到400℃，降溫速率優(yōu)于200K/sec。從400℃到100℃降溫速率控制在30K/sec；
2） RTP-150
基片從前面載入/取出；
可支持的尺寸：直徑為150mm的Wafer或者150mm×150mm的基片；
溫度高達1000攝氏度；
升溫速率為75K/sec；
降溫速率分段控制：從1000℃到400℃，降溫速率優(yōu)于200K/sec。從400℃到100℃降溫速率控制在30K/sec；
3）VPO-1000-300
也可以用于污染物處理；
基片從上面載入/取出；
可支持的尺寸：直徑為300mm的Wafer或者300mm×300mm的基片；
溫度高達1000攝氏度；
升溫速率為40K/sec；
降溫速率分段控制：從1000℃到400℃，降溫速率優(yōu)于200K/sec。從400℃到100℃降溫速率控制在30K/sec；
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