• 測(cè)量范圍：——(m)
• 重量：(kg)
• 外形尺寸：**(mm)

世界薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)（薄膜應(yīng)力儀，薄膜應(yīng)力計(jì)，薄膜應(yīng)力測(cè)試儀），MOS多光束技術(shù)榮獲美國(guó)技術(shù)！同時(shí)KSA公司榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！

該設(shè)備已經(jīng)廣泛被高等學(xué)府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學(xué)，中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院等）、半導(dǎo)體制和微電子造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等所采用；

同類設(shè)備：

薄膜應(yīng)力測(cè)試儀（薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)，薄膜應(yīng)力計(jì)）；

薄膜殘余應(yīng)力測(cè)試儀；

實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀；

?

技術(shù)參數(shù)：
?

薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)，薄膜應(yīng)力測(cè)試儀，薄膜應(yīng)力計(jì)，薄膜應(yīng)力儀，F(xiàn)ilm Stress Tester, Film Stress Measurement System;

1.變溫設(shè)計(jì)：采用真空和低壓氣體保護(hù)，溫度范圍RT~1000°C；

2.曲率分辨率：100km；

3.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍：200mm；300mm（可選）；

4.XY雙向掃描速度：20mm/s；

5.XY雙向掃描平臺(tái)掃描小步進(jìn)/分辨率：2 μm ；

6.薄膜應(yīng)力測(cè)量范圍：5×105到4×1010dynes/cm2（或者5×104Pa to 4×109Pa）；

7.薄膜應(yīng)力測(cè)量分辨率：優(yōu)于0.1MPa;

8.測(cè)量：優(yōu)于±0.1%；

9.測(cè)量重復(fù)性：優(yōu)于0.1%；

主要特點(diǎn)：
?

1.技術(shù)：MOS多光束技術(shù)（二維激光陣列）；
2.變溫設(shè)計(jì)：采用真空和低壓氣體保護(hù)，溫度范圍RT~1000°C；
3.樣品快速熱處理功能；
4.樣品快速冷卻處理功能；
5.溫度閉環(huán)控制功能，保證的溫度均勻性和;
6.實(shí)時(shí)應(yīng)力VS.溫度曲線；
7.實(shí)時(shí)曲率VS.溫度曲線；
8.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描；?
9.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力成像分析；?
10.測(cè)量功能：曲率、曲率半徑、薄膜應(yīng)力、薄膜應(yīng)力分布和翹曲等；
11.氣體（氮?dú)?、氬氣和氧氣等）Delivery系統(tǒng)；